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以下這 4 個(gè)基本技巧可幫助您減少涉及 EMI 合規(guī)性時(shí)為您帶來的煩惱。當(dāng)然，EMI 主題非常廣泛，會(huì)涉及很多其它技巧。
回顧第 1 部分(http://www.deyisupport.com/blog/b/power_house/archive/2014/06/18/powerlab-emi-1.aspx)的討論內(nèi)容，在該部分我們重點(diǎn)討論了當(dāng)電源中的組件寄生電容直接耦合至電源輸入電線時(shí)會(huì)發(fā)生的情況?，F(xiàn)在，我們來看看共模 EMI 問題的最常見來源：電源變壓器。
該問題由一次繞組和二次繞組間的寄生電容以及一次繞組的高 dV/dt 引起。這個(gè)繞組間的電容可起到充電泵的作用，導(dǎo)致雜散電流流到通常連接至接地的二次側(cè)。這里有四個(gè)可最大限度減少該問題的常見技巧。
進(jìn)行一次繞組，使最高 dV/dt 出現(xiàn)在外層上。電壓電勢會(huì)隨每個(gè)匝數(shù)變化。例如在反激拓?fù)渲?，最大的電壓擺幅出現(xiàn)在連接 FET 漏極的一端（見圖…
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