本實用新型的目的在于提供一種用于NB-IOT技術的射頻功率放大器，其采用無SMD電容電感的設計方案，可以節省封裝成 本。 為實現本實用新型的目的，本實用新型提供一種射頻功率放大器，其包括：基板；射頻輸入端；射頻輸出端；依次耦接于所述 射頻輸入端和所述射頻輸出端之間的輸入匹配電路、第一級射頻功率放大結構、級間匹配電路、第二級射頻功率放大結構和輸 出匹配電路，其中第一級射頻功率放大結構包括第一射頻功率放大晶體管和第一偏置電路，第一偏置電路給第一射頻功率放大 晶體管的基極提供偏置電壓，第二級射頻功率放大結構包括第二射頻功率放大晶體管和第二偏置電路，第二偏置電路給第二射 頻功率放大晶體管的基極提供偏置電壓，輸入匹配電路包括依次耦接于射頻輸入端和第一射頻功率放大晶體管的基極之間的電 容C1和電阻R1、依次耦接于第一射頻功率放大晶體管的集電極和基極之間的電容C2和電阻R4，以及耦接于射頻輸入端和接地 端之間的電感L1；級間匹配電路包括耦接于電源端和第一射頻功率放大晶體管的集電極之間的電感RFC1、依次耦接于第一射 頻功率放大晶體管的集電極和第二射頻功率放大晶體管的基極之間的電容C4、電容C5和電阻R5，耦接于電容C4和電容C5的中 間節點和接地端之間的電感L3，耦接于第一射頻功率放大晶體管的集電極和接地端之間的電容C3和電感L2；輸出匹配電路包 括耦接于電源端和第二射頻功率放大晶體管的集電極之間的電感RFC2、耦接于第二射頻功率放大晶體管的集電極和射頻輸出 端之間的電容C8，依次耦接于第二射頻功率放大晶體管的集電極和接地端之間的電容C6和電感L4，依次耦接于第二射頻功率 放大晶體管的集電極和接地端之間的電容C7和電感L5，耦接于射頻輸出端和接地端之間的電感L6；其中電感L1、電感L2、電 感L3、電感L4、電感L5、電感L6、電感RFC1、電感RFC2、電感RFC3均由基板上的傳輸線形成。