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本說明的目的是演示用于電子器件的快速開關(guān)IGBT柵極驅(qū)動器的設(shè)計使用雙極晶體管的鎮(zhèn)流器。充分增強IGBT所需的電荷是其柵極-源極和漏極-柵極（Miller）電容，并通過外部柵極電阻器傳輸。這個IGBT的柵極電荷和輸入電容值與類似的MOSFET相比更低電流額定值，因為更好地利用了硅。IGBT需要驅(qū)動級才能獲得最佳性能性能，特別是當(dāng)由低電壓、低電流源驅(qū)動時。互補發(fā)射極跟隨器電路滿足柵極驅(qū)動要求。這應(yīng)該是由具有高脈沖電流能力、高轉(zhuǎn)換頻率的晶體管構(gòu)成fT和理想情況下在高集電極電流下的顯著增益。提出了一種通用的門驅(qū)動解決方案在下面這包括通過負(fù)的方法最大限度地減少米勒門電荷引起的關(guān)斷的可能性半橋IGBT柵極驅(qū)動器的一般要求包括：；
?
1.一種用于浮動N溝道IGBT的高側(cè)柵極驅(qū)動器
?
2.低壓側(cè)和高壓側(cè)裝置的對稱切換
?
3.避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)
?
4.IGBT導(dǎo)通和關(guān)斷時間的控制
?
5.高充電/放電電流能力的控制
?
柵極電荷量與IGBT的連續(xù)額定電流成比例所需的柵極電流。Zetex的ZXGD3002E6柵極驅(qū)動器具有良好的高頻響應(yīng)能夠提供高達2.2A的柵極電流。典型的傳播延遲時間低至2ns對于1000pF負(fù)載，上升/下降至11ns，確保快速切換以最大限度地減少失真和功率IGBT中的功率損耗。為了實現(xiàn)具有成本效益的壓載解決方案使用適當(dāng)選擇的柵極驅(qū)動器、晶體管和無源元件如圖1所示，盡管需要更大的板面積。
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