資料介紹
在過去的幾年里,MOSFET已經(jīng)成為功率開關(guān)的首選器件應(yīng)用程序。雖然導(dǎo)通電阻顯著降低,但它們通常需要驅(qū)動器級以獲得最佳性能,特別是當(dāng)由低電壓、低電流源驅(qū)動時。這就是雙極晶體管固有優(yōu)勢的優(yōu)勢所在,如下所述。功率MOSFET通常被認(rèn)為是電壓驅(qū)動的器件,因此可能會被錯誤地認(rèn)為期望從任何信號源驅(qū)動而與電流能力無關(guān)。這可能是一個在直流或極低頻開關(guān)應(yīng)用中驅(qū)動時可接受的假設(shè),其中快速邊緣速度并不重要,但越來越多的功率MOSFET被用于開關(guān)數(shù)百kHz至10MHz的電路,以及在這些情況下的柵極電荷要求是一個主要考慮因素。完全增強(qiáng)功率MOSFET所需的電荷來源于其柵極-源極和柵極-漏極電容,并通過外部電阻器傳輸。大門電壓遵循特征RC時間常數(shù),該時間常數(shù)(在EMI約束范圍內(nèi))必須較短足以穿過線性區(qū)域而不會在功率中引起過大的開關(guān)損耗MOSFET。
例如,典型的100V、35m DPAK MOSFET需要大約50nC。如果需要為了在20ns內(nèi)切換,需要2.5安培的柵極電流。有許多潛在的解決方案可以為功率MOSFET提供柵極驅(qū)動,包括專用IC驅(qū)動器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC、分立MOSFET和雙極晶體管。
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