利用NSI810X高效快速實現(xiàn)IIC設備隔離

IIC總線結(jié)構(gòu)簡單且易于實現(xiàn)，廣泛應用于設備或模塊間的連接。在某些數(shù)據(jù)采集和電源控制設備中，必須把IIC主設備與一個或多個從設備隔離開來，以便解決噪聲、接地、安全等問題。本文主要介紹如何利用納芯微電子(NOVOSENSE)生產(chǎn)的NSi810x系列芯片高效快速的實現(xiàn)IIC設備隔離。

首先我們先來了解下NSi810x系列芯片。NSi810x系列芯片為兼容IIC接口的高可靠性雙向數(shù)字隔離器，其符合AEC-Q100標準，具有高電磁抗擾度和低輻射的特性。NSi810x系列產(chǎn)品的主要性能指標如下：

-高達5000VRMS隔離電壓

-I2C時鐘速率：高達2MHz

-供電電壓范圍：2.5V~5.5V

-高CMTI:150kV/us

-芯片級ESD:HBM高達±6kV

-高系統(tǒng)級EMC性能：增強型系統(tǒng)級抗ESD、EFT、浪涌能力

-隔離帶壽命：>60年

高可靠性雙通道雙向I2C數(shù)字隔離器

NSi8100x系列是高可靠性的雙向l2C數(shù)字隔離器。提供符合UL1577的多種電氣隔離耐壓(3.75kVrms, 5kVrms)，且具有高電磁抗擾度和低輻射的特性。支持I2C時鐘高達2MHZ，共模瞬態(tài)抗干擾度(CMTI)高達150kV/μs。寬供電范圍可直接對接大多數(shù)MCU等數(shù)字接口,并且可以方便的提供雙向電平轉(zhuǎn)換功能。出色的系統(tǒng)級電磁兼容(EMC)性能,增強了使用的可靠性和穩(wěn)定性。

產(chǎn)品特性

?高達3750Vrms的隔離電壓

?I2C時鐘速率: 高達2MHz

?寬電源供電范圍:2.5V至5.5V

?高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI):±150kV/μs

?高系統(tǒng)級EMC性能:系統(tǒng)級靜電放電(ESD),快速群脈沖(EFT),抗浪涌保護

?芯片級ESD性能: HBM: ±6kV

?隔離柵壽命:>60年

?超低功耗：1.5mA/通道(1Mbps)

?低傳輸延時：<15ns

?寬工作溫度范圍:-40C~125C

?符合RoHS的封裝：SOP8, SOW16