資料介紹
TPS51100EVM評(píng)估模塊(EVM)包括用于DDRI和DDR內(nèi)存模塊的LDO,以及DDR內(nèi)存模塊所需的終端和參考電壓。EVM設(shè)計(jì)使用1.5至3.4V VDDQ電壓和4.75 V至5.25 V控制器內(nèi)核電源來(lái)產(chǎn)生雙數(shù)據(jù)速率(DDR)存儲(chǔ)器模塊所需的/2 VDDQ端接電壓,具有2 A的吸電流/源電流容量。TPS51100旨在為DDR內(nèi)存模塊提供合適的端接電壓,涵蓋DDRI (2.5 V/1.25 V)和DDR2 (1.8 V/0.9 V)規(guī)格,外部元件最少。高速LDO允許使用更少更小的外部電容進(jìn)行設(shè)計(jì),從而降低雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器電源解決方案的尺寸和成本。TPS51100增加了一個(gè)外部調(diào)節(jié)器來(lái)產(chǎn)生存儲(chǔ)器模塊所需的內(nèi)核和I/O電壓,從而提供了完成DDRl或ddll存儲(chǔ)器電源解決方案所需的終端電壓和10mA緩沖基準(zhǔn)電壓。
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