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GAN039-650NBB 是一款采用CCPAK1212封裝的 650 V、33 mΩ 氮化鎵 （GaN） FET。它 是一款常關器件，結合了Nexperia最新的高壓GaN HEMT H2技術 以及低壓硅MOSFET技術，提供卓越的可靠性和性能。 2. 特點和優勢 • 簡化了驅動器設計，因為可以使用標準電平的MOSFET柵極驅動器： 0 V 至 12 V 驅動電壓 • • 柵極閾值電壓 VGSth 為 4 V • 堅固的柵極氧化物，VGS 額定值為 ±20 V • 4 V 的高柵極閾值電壓，具有抗柵極反彈能力 • • • CCPAK封裝技術： 低體二極管 Vf，可降低損耗并簡化死區時間調整 瞬態過壓能力，提高魯棒性 提高可靠性，降低 Rth（j-mb） 以實現最佳冷卻 更低的電感，可降低開關損耗和 EMI 150 °C 最高結溫 • • • • 電路板級高可靠性，可吸收熱循環過程中的機械應力，與 傳統 QFN 封裝 • 目視（AOI）焊接檢測，無需昂貴的X射線設備 • 易于潤焊，可實現良好的機械焊點 3. 應用 • 用于工業和數據通信電源的硬開關和軟開關轉換器 • 無橋顳骨 PFC • 光伏和UPS逆變器 • 伺服電機驅動 4. 快速參考數據
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