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光電檢測器及光子學基礎部件的資料說明

1320780 2019-01-18 | ppt | 12.33 MB | 次下載 | 免費

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資料介紹

本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是光電檢測器及光子學基礎部件的資料說明主要內(nèi)容包括了：1.光電檢測器的性能參數(shù)，2.光電檢測器種類，3.多通道探測器—自學，4.光學基本元件，5.光學基礎部件，6.分光元件

　　外光電效應：當光照到某種物質(zhì)時，若入射的光子能量足夠大，它與物質(zhì)相互作用，致使電子逸出物質(zhì)表面這種現(xiàn)象稱為光電發(fā)射效應，又稱外光電效應。

　　光電陰極是根據(jù)外光電效應制成的光電發(fā)射材料

　　金屬的光電發(fā)射效率很低，一般響應在紫外或遠紫外，半導體的響應大多在可見、近紅外、紅外波段。

　　根據(jù)材料將NEA出現(xiàn)前的陰極按照窗材料的不同以S-數(shù)字的形式表示：

　　S-1銀氧銫光電陰極（Ag-O-Cs），對可見和近紅外敏感，閾值波長最大可達1.2微米，主要應用與微光夜視儀中。但光譜響應最大處的量子效率不超過1%，熱發(fā)射較大，室溫下典型值10-11到10-14A/cm2

　　S-4，S-5銻銫陰極：在光電管、PMT中廣泛采用，響應范圍從紫外到紅光，峰值在藍光，量子效率可達10-20%。暗電流10-16A/cm2

　　S-20多堿陰極，銻與多種堿結(jié)合：響應范圍可到0.87微米，峰值在420nm，量子效率可達10-20%。暗電流10-16A/cm2

　　負電子親和勢電極（NEA），InGaAs是代表，長波可到1.3微米，暗電流10-16A/cm

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