場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型三極管的比較：

　　1、普通三極管參與導(dǎo)電的，既有多數(shù)載流子，又有少數(shù)載流子，故稱為雙極型三極管；而在場(chǎng)效應(yīng)管中只是多子參與導(dǎo)電，故又稱為單極型三極管。因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場(chǎng)效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、噪聲系數(shù)很小。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。

　　2、三極管是電流控制器件，通過(guò)控制基極電流到達(dá)控制輸出電流的目的。因此，基極總有一定的電流，故三極管的輸人電阻較低；場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，其輸出電流決定于柵源極之間的電壓，柵極基本上不取電流，因此，它的輸入電阻很高，可達(dá)109～1014Ω。高輸入電阻是場(chǎng)效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)。

　　3、場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極可以互換，耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負(fù)，靈活性比三極管強(qiáng)。但要注意，分立的場(chǎng)效應(yīng)管，有時(shí)已經(jīng)將襯底和源極在管內(nèi)短接，源極和漏極就不能互換使用了。

　　4、場(chǎng)效應(yīng)管和三極管都可以用于放大或作可控開關(guān)。但場(chǎng)效應(yīng)管還可以作為壓控電阻使用，可以在微電流、低電壓條件下工作，具有功耗低，熱穩(wěn)定性好，容易解決散熱問(wèn)題，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，且制作工藝簡(jiǎn)單，易于集成化生產(chǎn)，因此在目前的大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中，MOS管占主要地位。

　　5、MOS管具有很低的級(jí)間反饋電容，一般為5—10pF，而三極管的集電結(jié)電容一般為20pF左右。

　　6、場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)。

　　7、由于MOS觀的柵源極之間的絕緣層很薄，極間電容很小，而柵源極之間電阻又很大，帶電物體靠近柵極時(shí)，柵極上感應(yīng)少量電荷產(chǎn)生很高的電壓，就很難放掉，以至于柵源極之間的絕緣層擊穿，造成永久性損壞。因此管子存放時(shí)，應(yīng)使柵極與源極短接，避免柵極懸空。尤其是焊接MOS管時(shí)，電烙鐵外殼要良好接地。

　　8、BJT是利用小電流的變化控制大電流的變化； JFET是利用PN結(jié)反向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制，來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大??；MOSEFET是利用柵源電壓的大小，來(lái)改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。

　　OSFET用雙極性三極管的代替方法 ：

　　一般說(shuō)來(lái)，雙極性三極管不能直接代替MOSFET，這是因?yàn)樗鼈兊目刂铺匦圆灰粯樱琈OSFET是電壓控制的器件，而雙極性三極管是電流控制的器件。MOSFET的控制電路是電壓型的，雙極性三極管不能直接代換MOSFET的，原驅(qū)動(dòng) MOSFET的電路由于驅(qū)動(dòng)電流太小，不足于驅(qū)動(dòng)雙極性三極。要想用原電路驅(qū)動(dòng)雙極性三極管，必須要在雙極性三極管之前加裝電流放大裝置?；谶@個(gè)思想，在雙極性三極管之前加裝電流放大器，把電壓驅(qū)動(dòng)改為了電流驅(qū)動(dòng)，即可代換成功。