基于特異材料特性設(shè)計(jì)出了一種由SRRs與CSRRs構(gòu)成的混合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)具有在兩個(gè)垂直的方向阻礙電磁渡傳播的特性，將其加載在無(wú)限微帶天線(xiàn)陣列中，能夠有效地清除相控陣天線(xiàn)的掃描盲點(diǎn)。該研究成果表明該特異材料在高性能微帶天線(xiàn)陣列設(shè)計(jì)中具有良好的應(yīng)用潛能。

　　帶相控陣天線(xiàn)具有結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕、體積小、成本低、易于共形，以及能與微波集成電路（MIC，mi—crowave integrated circuit）和光集成電路（PIC，photo—electric integrated circuits）技術(shù)兼容等眾多優(yōu)點(diǎn)，目前已得到了廣泛的運(yùn)用¨。然而，由于微帶相控陣天線(xiàn)單元之間出現(xiàn)互耦，導(dǎo)致微帶相控陣天線(xiàn)掃描在某一特定角度上時(shí)，能量幾乎為全反射，致使微帶相控陣在掃描到某一特定角度形成了掃描盲點(diǎn)。
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　　盲點(diǎn)效應(yīng)是影響微帶相控陣天線(xiàn)性能的嚴(yán)重問(wèn)題之一。由于它出現(xiàn)在柵瓣之前，有的甚至出現(xiàn)在離側(cè)射方向不遠(yuǎn)的角度上，這樣勢(shì)必會(huì)大大縮小微帶相控陣天線(xiàn)的掃描區(qū)域，導(dǎo)致整個(gè)陣列掃描性能的下降。迄今為止，人們已探索出各種清除掃描盲點(diǎn)的有效方法。例如：天線(xiàn)子陣技術(shù)H J、EBG技術(shù)哺J、缺陷地技術(shù)∞o和磁性特異材料技術(shù)。但是目前的方法仍然存在一定的局限性：加載天線(xiàn)子陣不適用于高介電常數(shù)基板的微帶天線(xiàn)；加載EBG需要占據(jù)較大的單元空間；利用缺陷地將引起較強(qiáng)的后向輻射；磁性特異材料的機(jī)械穩(wěn)定性不強(qiáng)，難以實(shí)現(xiàn)在實(shí)際工程上的應(yīng)用。

　　本文基于混合裂口環(huán)諧振器（SRRs，split ringresonators）和互補(bǔ)裂口環(huán)諧振器（CSRRs，comple—mentary split ring resonators）特異材料能夠在特定的頻率范圍內(nèi)阻礙兩個(gè)方向傳播的特性，將其加載在無(wú)限微帶陣列中、抑制單元間的互耦效應(yīng)，清除相控陣的掃描卣點(diǎn)效果良好。不儀如此，由T該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單．易于共形、機(jī)械穩(wěn)定性強(qiáng)，在高Pl：能微帶相控陣研究與設(shè)計(jì)中具有較好的參考價(jià)值。