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1 引言
低溫共燒陶瓷（LTCC）是用于實現高集成度、高性能電子封裝的三維多層封裝技術。在微波、毫米波系統中，可廣泛應用于多芯片模塊（MCM）電路設計中。在三維MCM系統集成技術中，LTCC技術集高密度多層互連、內埋無源元件和氣密性封裝于一體，使多種電路封裝在同一多層結構中，可集成數字、模擬、RF/微波電路，這些優點使其成為實現系統級封裝（SIP）的首選技術。
在瞬時測頻、測量儀器及高速數字電路等領域中，寬帶微波延遲線是關鍵部件，其性能指標主要取決于延遲線的長度和相位精度。傳統的延遲線一般用同軸電纜實現［5］，不僅體積龐大，而且制作過程引入許多人為因素，一致性較差，對后級電路處理帶來不良影響。也有采用平面彎折的帶線結構來實現延遲線，但這種二維結構的相鄰線段間距離必須保持足夠大，以減小線間耦合，這無疑增加了延遲線的尺寸；而采用LTCC多層基板制作的延遲線通過三維互連技術，將彎折線分別置于不同層，不但體積大大縮小，而且一致性獲得了提高。
2 LTCC多層結構中帶線之間的轉換設計
在LTCC多層基板中，位于表層的微帶線與埋置于中間層的帶狀線之間，以及中間層間的帶狀線之間的轉換可以通過一種“類同軸垂直轉換結構”來實現。其概念來自于同軸傳輸線結構，它是由一組連接不同金屬化地層的通孔作為外圈屏蔽層組成，被這些屏蔽通孔圍繞的中心通孔類似于同軸線的中心導體以連接不同層間的信號線，如圖1所示。
（a）俯視圖
（b）微帶線與帶狀線的類同軸垂直轉換
圖1 LTCC多層基板中的類同軸垂直轉換結構
根據同軸傳輸線理論，圖1所示的多層類同軸垂直轉換可以采用同軸線的特性阻抗公式（1），通過調整外層屏蔽通孔圈的直徑D0，來獲得50W標準阻抗。
低溫共燒陶瓷（LTCC）是用于實現高集成度、高性能電子封裝的三維多層封裝技術。在微波、毫米波系統中，可廣泛應用于多芯片模塊（MCM）電路設計中。在三維MCM系統集成技術中，LTCC技術集高密度多層互連、內埋無源元件和氣密性封裝于一體，使多種電路封裝在同一多層結構中，可集成數字、模擬、RF/微波電路，這些優點使其成為實現系統級封裝（SIP）的首選技術。
在瞬時測頻、測量儀器及高速數字電路等領域中，寬帶微波延遲線是關鍵部件，其性能指標主要取決于延遲線的長度和相位精度。傳統的延遲線一般用同軸電纜實現［5］，不僅體積龐大，而且制作過程引入許多人為因素，一致性較差，對后級電路處理帶來不良影響。也有采用平面彎折的帶線結構來實現延遲線，但這種二維結構的相鄰線段間距離必須保持足夠大，以減小線間耦合，這無疑增加了延遲線的尺寸；而采用LTCC多層基板制作的延遲線通過三維互連技術，將彎折線分別置于不同層，不但體積大大縮小，而且一致性獲得了提高。
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在LTCC多層基板中，位于表層的微帶線與埋置于中間層的帶狀線之間，以及中間層間的帶狀線之間的轉換可以通過一種“類同軸垂直轉換結構”來實現。其概念來自于同軸傳輸線結構，它是由一組連接不同金屬化地層的通孔作為外圈屏蔽層組成，被這些屏蔽通孔圍繞的中心通孔類似于同軸線的中心導體以連接不同層間的信號線，如圖1所示。
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（b）微帶線與帶狀線的類同軸垂直轉換
圖1 LTCC多層基板中的類同軸垂直轉換結構
根據同軸傳輸線理論，圖1所示的多層類同軸垂直轉換可以采用同軸線的特性阻抗公式（1），通過調整外層屏蔽通孔圈的直徑D0，來獲得50W標準阻抗。
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