資料介紹
各種光譜應(yīng)用都需要能夠在廣譜光譜上傳播光的高性能光纖。在波長(zhǎng)范圍上,具有廣譜光譜的光纖能夠相對(duì)均勻地傳輸大范圍的波長(zhǎng)。這在光譜應(yīng)用中是特別 有利的,因?yàn)樗鼣U(kuò)大了測(cè)量范圍和設(shè)備靈敏度。在許多情況下,它允許光譜儀遠(yuǎn)程放置,并通過(guò)廣譜光纖連接到分析區(qū)域。其結(jié)果是可以收集和分析更大波長(zhǎng)范圍上 的更多光譜信息。
在光纖傳感領(lǐng)域,有許多任務(wù)業(yè)、化學(xué)和生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用可受益于能夠在非常廣的光譜范圍內(nèi)測(cè)量光信號(hào)。然而,光纖過(guò)去一直受到 其傳輸光譜范圍的限制。在紫外線(UV)波長(zhǎng)下,高-OH成分的光纖表現(xiàn)更好;然而,在近紅外(Near Infrared, NIR)波長(zhǎng)內(nèi),尤其是在980、1250和1383 nm上,-OH成分會(huì)形成非常大的吸收區(qū)域。相反,在光譜的NIR區(qū)域,低-OH成分的光纖會(huì)表現(xiàn)良好,但UV性能卻趨向差。雖然兩種類(lèi)型的傳統(tǒng)光纖在大 多數(shù)可見(jiàn)光譜內(nèi)傳輸良好,但它們?cè)诠庾V范圍上都受到限制。
突破性廣譜光纖的光纖技術(shù)
Molex 公司子公司Polymicro Technologies已成功地生產(chǎn)出一種廣譜光纖(broad spectrum optical fiber, FBPI),具有低-OH純二氧化硅纖芯(pure silica core),UV缺陷成分和其它UV吸收中心明顯降低。Polymicro FBPI光纖采用專(zhuān)有工藝,有效地結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)光纖的優(yōu)點(diǎn),并減少了缺點(diǎn)。在非常廣的光譜范圍上展現(xiàn)了改進(jìn)的傳輸性能,硅基(silica-based)、 寬波段FBPI光纖的生產(chǎn)芯徑范圍為50-600 μm。
使用不同光源包括氘燈(Deuterium)和鎢鹵素?zé)?Tungsten- halogen)進(jìn)行的廣泛的光譜性能測(cè)試結(jié)果一直是極好的。在超過(guò)2100 nm的NIR波長(zhǎng)區(qū)域,新FBPI光纖的衰減相當(dāng)于具有低-OH硅芯和F-摻雜(F-doped)覆層的標(biāo)準(zhǔn)NIR光纖。
突破性FBPI光纖的另一個(gè)重要特性是抗日曬損傷等級(jí),而這些損傷是由暴露在高度的UV照射下引起的。FBPI光纖具有低至200 nm的優(yōu)秀UV傳輸性能,而UV缺陷密度已顯著降低,這樣它的日曬脆化性可以與標(biāo)準(zhǔn)UV優(yōu)化的高耐輻射性的高-OH光纖相媲美。
FBPI光纖的光譜衰減性能
FBPI 光纖的衰減性已在三個(gè)不同的波段內(nèi)進(jìn)行了嚴(yán)格測(cè)試:1) UV (200-400 nm);2) 可見(jiàn)光(Visible) (400-900 nm);和3) NIR (900-2100 nm)。每種測(cè)試使用了Ocean Optics公司專(zhuān)為特定波長(zhǎng)范圍設(shè)計(jì)的光纖光譜儀。因?yàn)樵诓煌ㄩL(zhǎng)范圍上具有不同的衰減,所以使用不同的光纖長(zhǎng)度以獲得最佳測(cè)試靈敏度。具體來(lái)說(shuō),15 m長(zhǎng)的用于UV范圍測(cè)試,而大約200 m長(zhǎng)的則用于可見(jiàn)光和NIR測(cè)試。用于UV測(cè)試的光源為氘燈,而可見(jiàn)光和NIR測(cè)試的光源則為鎢鹵素?zé)?Tungsten-halogen)。
圖1使用了回截方法(cutback method)來(lái)測(cè)試衰減。光被發(fā)射通過(guò)測(cè)試樣品的整個(gè)長(zhǎng)度,然后光譜儀記錄接收到的光譜。隨后,樣品被剪短到2m長(zhǎng),而光譜儀也記錄該光譜。比較兩個(gè)波長(zhǎng)的光譜,計(jì)算衰減作為波長(zhǎng)的函數(shù)。
?
圖1:FBPI光纖光譜衰減測(cè)試設(shè)置
下圖2顯示了比較FBPI與其它三種Polymicro光纖的光譜衰減性能圖:
● 低-OH:用于NIR的標(biāo)準(zhǔn)FIP光纖
● 高-OH:FVP(用于UV/可見(jiàn)光的標(biāo)準(zhǔn)高-OH光纖)、UVM(UV優(yōu)化的高-OH預(yù)制品)、UVMI(加氫UVM光纖)和FDP(深度UV優(yōu)化的光纖,具有高UV輻射抗性)
● FBP:現(xiàn)有的廣譜光纖,沒(méi)有針對(duì)NIR衰減或UV日曬抗性而優(yōu)化
● FBPI:新的廣譜光纖,已針對(duì)NIR衰減和UV日曬抗性而優(yōu)化
如圖所示,新FBPI光纖展示了UV中高- OH光纖和NIR中低-OH光纖的最佳性能
?
圖2:光譜衰減比較
FBPI光纖的UV抗日曬性
石英光纖易受UV誘發(fā)的衰減影響。長(zhǎng)期暴露在UV輻射(俗稱(chēng)日曬) 下所誘發(fā)的損傷會(huì)導(dǎo)致傳輸損耗。大多數(shù)衰減發(fā)生在小于250 nm的波長(zhǎng)內(nèi),而峰值損傷發(fā)生在214 nm上,損傷的程度根據(jù)光纖的類(lèi)型而有很大的不同。下圖3顯示了新FBPI光纖的UV照射性能與UV中使用的其它光纖的比較。
在光纖傳感領(lǐng)域,有許多任務(wù)業(yè)、化學(xué)和生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用可受益于能夠在非常廣的光譜范圍內(nèi)測(cè)量光信號(hào)。然而,光纖過(guò)去一直受到 其傳輸光譜范圍的限制。在紫外線(UV)波長(zhǎng)下,高-OH成分的光纖表現(xiàn)更好;然而,在近紅外(Near Infrared, NIR)波長(zhǎng)內(nèi),尤其是在980、1250和1383 nm上,-OH成分會(huì)形成非常大的吸收區(qū)域。相反,在光譜的NIR區(qū)域,低-OH成分的光纖會(huì)表現(xiàn)良好,但UV性能卻趨向差。雖然兩種類(lèi)型的傳統(tǒng)光纖在大 多數(shù)可見(jiàn)光譜內(nèi)傳輸良好,但它們?cè)诠庾V范圍上都受到限制。
突破性廣譜光纖的光纖技術(shù)
Molex 公司子公司Polymicro Technologies已成功地生產(chǎn)出一種廣譜光纖(broad spectrum optical fiber, FBPI),具有低-OH純二氧化硅纖芯(pure silica core),UV缺陷成分和其它UV吸收中心明顯降低。Polymicro FBPI光纖采用專(zhuān)有工藝,有效地結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)光纖的優(yōu)點(diǎn),并減少了缺點(diǎn)。在非常廣的光譜范圍上展現(xiàn)了改進(jìn)的傳輸性能,硅基(silica-based)、 寬波段FBPI光纖的生產(chǎn)芯徑范圍為50-600 μm。
使用不同光源包括氘燈(Deuterium)和鎢鹵素?zé)?Tungsten- halogen)進(jìn)行的廣泛的光譜性能測(cè)試結(jié)果一直是極好的。在超過(guò)2100 nm的NIR波長(zhǎng)區(qū)域,新FBPI光纖的衰減相當(dāng)于具有低-OH硅芯和F-摻雜(F-doped)覆層的標(biāo)準(zhǔn)NIR光纖。
突破性FBPI光纖的另一個(gè)重要特性是抗日曬損傷等級(jí),而這些損傷是由暴露在高度的UV照射下引起的。FBPI光纖具有低至200 nm的優(yōu)秀UV傳輸性能,而UV缺陷密度已顯著降低,這樣它的日曬脆化性可以與標(biāo)準(zhǔn)UV優(yōu)化的高耐輻射性的高-OH光纖相媲美。
FBPI光纖的光譜衰減性能
FBPI 光纖的衰減性已在三個(gè)不同的波段內(nèi)進(jìn)行了嚴(yán)格測(cè)試:1) UV (200-400 nm);2) 可見(jiàn)光(Visible) (400-900 nm);和3) NIR (900-2100 nm)。每種測(cè)試使用了Ocean Optics公司專(zhuān)為特定波長(zhǎng)范圍設(shè)計(jì)的光纖光譜儀。因?yàn)樵诓煌ㄩL(zhǎng)范圍上具有不同的衰減,所以使用不同的光纖長(zhǎng)度以獲得最佳測(cè)試靈敏度。具體來(lái)說(shuō),15 m長(zhǎng)的用于UV范圍測(cè)試,而大約200 m長(zhǎng)的則用于可見(jiàn)光和NIR測(cè)試。用于UV測(cè)試的光源為氘燈,而可見(jiàn)光和NIR測(cè)試的光源則為鎢鹵素?zé)?Tungsten-halogen)。
圖1使用了回截方法(cutback method)來(lái)測(cè)試衰減。光被發(fā)射通過(guò)測(cè)試樣品的整個(gè)長(zhǎng)度,然后光譜儀記錄接收到的光譜。隨后,樣品被剪短到2m長(zhǎng),而光譜儀也記錄該光譜。比較兩個(gè)波長(zhǎng)的光譜,計(jì)算衰減作為波長(zhǎng)的函數(shù)。

圖1:FBPI光纖光譜衰減測(cè)試設(shè)置
下圖2顯示了比較FBPI與其它三種Polymicro光纖的光譜衰減性能圖:
● 低-OH:用于NIR的標(biāo)準(zhǔn)FIP光纖
● 高-OH:FVP(用于UV/可見(jiàn)光的標(biāo)準(zhǔn)高-OH光纖)、UVM(UV優(yōu)化的高-OH預(yù)制品)、UVMI(加氫UVM光纖)和FDP(深度UV優(yōu)化的光纖,具有高UV輻射抗性)
● FBP:現(xiàn)有的廣譜光纖,沒(méi)有針對(duì)NIR衰減或UV日曬抗性而優(yōu)化
● FBPI:新的廣譜光纖,已針對(duì)NIR衰減和UV日曬抗性而優(yōu)化
如圖所示,新FBPI光纖展示了UV中高- OH光纖和NIR中低-OH光纖的最佳性能

圖2:光譜衰減比較
FBPI光纖的UV抗日曬性
石英光纖易受UV誘發(fā)的衰減影響。長(zhǎng)期暴露在UV輻射(俗稱(chēng)日曬) 下所誘發(fā)的損傷會(huì)導(dǎo)致傳輸損耗。大多數(shù)衰減發(fā)生在小于250 nm的波長(zhǎng)內(nèi),而峰值損傷發(fā)生在214 nm上,損傷的程度根據(jù)光纖的類(lèi)型而有很大的不同。下圖3顯示了新FBPI光纖的UV照射性能與UV中使用的其它光纖的比較。
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