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溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展-減小漏源通態(tài)電阻Rds(on):近些年來(lái)，采用各種不同的溝槽柵結(jié)構(gòu)使低壓MOSFET 功率開(kāi)關(guān)的性能迅速提高。本文對(duì)該方面的新發(fā)展進(jìn)行了論述。本文上篇著重于降低通態(tài)電阻Rds（on）方面的技術(shù)發(fā)展，下篇著重于降低優(yōu)值FOM 方面的技術(shù)發(fā)展。
Recently, the performance of low-voltage power switching MOSFET using trench technology
has improved rapidly. This article discusses the new developments of these devices. The part-I focuses on the technology developments reducing on-resistance. The part-II will treat with
decreasing Figure of Merit.
Key words: MOSFET, on-resistance, FOM
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