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SOI 和體硅集成電路工藝平臺(tái)互補(bǔ)問(wèn)題的探討
上海鐳芯電子有限公司鮑榮生
摘要
本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電路（IC）和常規(guī)的體硅IC 相比在性能上有許多優(yōu)點(diǎn)，因此很有發(fā)展前途。目前SOI 材料的性能和體硅相比確有一些差距，其主要原因是SOI 的缺陷密度需進(jìn)一步降低；但是有些質(zhì)量問(wèn)題要進(jìn)行具體分析；例如工藝中不受控的重金屬雜質(zhì)集中在SOI 區(qū)內(nèi)無(wú)法泄漏；空氣中硼（B）雜質(zhì)污染硅片引起電阻率的變化；襯底的硅片是直拉單晶，其高濃度氧（O）雜質(zhì)在高溫時(shí)外擴(kuò)散到SOI 中引起SOI 中O 濃度提高等；這些問(wèn)題的起因主要是由于各種雜質(zhì)在硅中和二氧化硅中擴(kuò)散系數(shù)不同所引起的，這些問(wèn)題的解決有的需要二個(gè)工藝平臺(tái)的互補(bǔ)，即需要相互配合使SOI IC 的質(zhì)量不斷提高；本文將這些雜質(zhì)產(chǎn)生的原因，影響和
改進(jìn)方法作初步探討。
上海鐳芯電子有限公司鮑榮生
摘要
本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電路（IC）和常規(guī)的體硅IC 相比在性能上有許多優(yōu)點(diǎn)，因此很有發(fā)展前途。目前SOI 材料的性能和體硅相比確有一些差距，其主要原因是SOI 的缺陷密度需進(jìn)一步降低；但是有些質(zhì)量問(wèn)題要進(jìn)行具體分析；例如工藝中不受控的重金屬雜質(zhì)集中在SOI 區(qū)內(nèi)無(wú)法泄漏；空氣中硼（B）雜質(zhì)污染硅片引起電阻率的變化；襯底的硅片是直拉單晶，其高濃度氧（O）雜質(zhì)在高溫時(shí)外擴(kuò)散到SOI 中引起SOI 中O 濃度提高等；這些問(wèn)題的起因主要是由于各種雜質(zhì)在硅中和二氧化硅中擴(kuò)散系數(shù)不同所引起的，這些問(wèn)題的解決有的需要二個(gè)工藝平臺(tái)的互補(bǔ)，即需要相互配合使SOI IC 的質(zhì)量不斷提高；本文將這些雜質(zhì)產(chǎn)生的原因，影響和
改進(jìn)方法作初步探討。
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