鑒于20多年的經(jīng)驗，功率MOSFET應(yīng)用手冊匯集了一套關(guān)于功率MOSFET實際應(yīng)用的學(xué)習(xí)和參考資料。MOSFETs應(yīng)用在很多領(lǐng)域，從汽車工業(yè)到計算機(jī)，移動設(shè)備和電力供給等，所有這些都影響了本手冊的編寫。

　　本書是針對于任何行業(yè)中對MOSFET感興趣或是想提高功率MOSFET設(shè)計理解的工程師們。本參考指南中所分享的知識是在許多不同公司的工程師解決實際問題中收集和總結(jié)而來的。雖然MOSFET技術(shù)在過去的幾十年內(nèi)有了顯著的進(jìn)步，但設(shè)計者仍然會面對很多挑戰(zhàn)。這本書的目的是對功率MOSFET的復(fù)雜行為和有時困惑的地方提供一些啟示，也向工程師提供一些必要信息來解決常見問題以及避免潛在問題發(fā)生。

　　認(rèn)識理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊中的參數(shù)

　　功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強(qiáng)度限值

　　RC 熱阻模型的使用

　　基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)計 — 第一部分

　　基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)計 — 第二部分

　　功率 MOSFET 的并聯(lián)使用

　　RC 緩沖電路的設(shè)計

　　功率 MOSFET 電氣過應(yīng)力的失效特征

　　縮略語

　　功率 MOSFET 的一些常見問題

　　索引

　　法律信息

　　本章解釋了NEXPERIA半導(dǎo)體功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊中給出的參數(shù)和圖表。目的是幫助工程師來決定哪一個器件對特定應(yīng)用是最適合的。

　　所列參數(shù)中的測試條件是需要重點關(guān)注的，因為不同供應(yīng)商會有不同的測試條件。這些特定的測試條件會影響參數(shù)數(shù)值，這就讓在不同的供應(yīng)商之間選擇器件變得困難。在整個章節(jié)中，我們都以BUK7Y12-55B的數(shù)據(jù)手冊作為例子。BUK7Y12-55B是一個汽車等級的器件，SOT669 （LFPAK56）封裝，55 V耐壓。BUK7Y12-55B數(shù)據(jù)手冊的布局代表了NEXPERIA功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊的通用布局。

　　在一些特定應(yīng)用中使用的功率MOSFET，要注意一些要點，如在開關(guān)損失顯著的應(yīng)用中減小了開關(guān)電荷，而在導(dǎo)通損失顯著的應(yīng)用中導(dǎo)通阻抗應(yīng)做到最小。