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近年來，基于CMOS 工藝的高性能射頻功率放大器一直是研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)一。一方面，基于CMOS工藝的射頻電路易與數(shù)字電路集成，從而降低整體芯片的成本; 另一方面，隨著CMOS 工藝進(jìn)人深亞微米區(qū)域，器件的擊穿電壓也隨著降低，限制了CMOS功率放大器的輸出功率。對(duì)于功率放大器而言，輸出功率與電源電壓的平方成正比，與漏端的負(fù)載阻抗成反比用。所以，可以通過增大電源電壓和減小負(fù)載阻抗來提高輸出功率。但是由于負(fù)載阻抗必須匹配到50 歐姆，而較低的負(fù)載阻抗會(huì)使得輸出阻抗轉(zhuǎn)換網(wǎng)絡(luò)的阻抗轉(zhuǎn)換比偏高。由集總參數(shù)元件組成的阻抗轉(zhuǎn)換網(wǎng)絡(luò)功率損耗會(huì)隨著阻抗轉(zhuǎn)換比的升高而升高。故而，漏端的負(fù)載阻抗不能取的過低。所以，就提高功率放大器的輸出功率而言，提高電源電壓的優(yōu)勢比降低負(fù)載阻抗更明顯。
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