介紹了一種簡單的高性能基準(zhǔn)源電路，該電路利用了工作在飽和區(qū)和亞閾值區(qū)的MOS
晶體管遷移率和閾值電壓溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償，此外還利用二極管反相偏置電流的溫度特性來改進(jìn)電路的高溫段的特性。使用HSPICE 進(jìn)行模擬，結(jié)果表明在電源電壓為0.9V，溫度在?20℃至120℃之間變化時(shí)，輸出的基準(zhǔn)電壓為525mV，溫度系數(shù)為11ppm/℃，功耗只有736nW。
該電路電源電壓可低至0.7V。電源噪聲頻率為1kHz 時(shí)的電源抑制比為 ?48dB。
關(guān)鍵詞：補(bǔ)償；低功耗；低壓；高精度；電壓源高精度的基準(zhǔn)電壓源由于受溫度、電源電壓、工藝過程等因素的影響較小，被廣泛的應(yīng)用于各種模擬和混合信號(hào)電路系統(tǒng)中。傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電壓源利用寄生雙極晶體管效應(yīng)[1，2]，輸出電壓接近硅的帶隙（1.25V），因此電源電壓至少需要1.4V[3]。另外，傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源中都采用運(yùn)算放大器結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)不僅限制了電源電壓的降低，而且運(yùn)算放大器失調(diào)也會(huì)降低電路的特性。目前，集成電路的設(shè)計(jì)正朝著低功耗的深亞微米（DSM）方向發(fā)展，傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電壓源即使采用最新的工藝參數(shù)也很難達(dá)到上述的參數(shù)水平。
因此，在本文中我們提出了一種無運(yùn)放、無雙極晶體管，且結(jié)構(gòu)簡單的CMOS 電壓基準(zhǔn)
源。利用工作在飽和區(qū)和亞閾值區(qū)的MOS 晶體管遷移率和閾值電壓溫度特性；二極管反相偏置電流的溫度特性來改進(jìn)電路的高溫段的特性；以及當(dāng)二極管連接MOS 晶體管（工作在飽和區(qū)）的偏置電流與溫度成正比時(shí)，該晶體管的柵源電壓與溫度無關(guān)的特性，得到了電源電壓可以低至1V 以下、功耗只有幾百納瓦的基準(zhǔn)電壓源。