資料介紹
電路由三級(jí)放大器級(jí)聯(lián)而成,三級(jí)電路結(jié)構(gòu)均使用電阻自偏壓技術(shù)來實(shí)現(xiàn)單電源供電,它既可保證PHEMT管處于低噪聲高增益的工作點(diǎn),又可將所有元器件集成在單片GaAs襯底上,解決了供電復(fù)雜的問題。第三級(jí)電路采用了并聯(lián)負(fù)反饋結(jié)構(gòu),降低了帶內(nèi)低頻端增益,提高了高頻端增益,從而改善了增益平坦度。利用微波仿真軟件AWR對(duì)電路進(jìn)行了仿真和優(yōu)化,結(jié)果顯示,在4~8 GHz頻帶內(nèi),噪聲系數(shù)<1.4 dB,增益達(dá)23±0.5 dB,輸入輸出駐波比<2.0:1。
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