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高密度等離子體化學氣相淀積(HDP CVD)工藝
隨著半導體技術的飛速發展，單個芯片上所能承載的晶體管數量以驚人的速度增
長，與此同時，半導體制造商們出于節約成本的需要迫切地希望單個晶圓上能夠容納更
多的芯片。這種趨勢推動了半導體器件特征尺寸的顯著減小，相應地也對芯片制造工藝
提出了更高的要求，其中一個具有挑戰性的難題就是絕緣介質在各個薄膜層之間均勻無
孔的填充，以提供充分有效的隔離保護，包括淺槽隔離(Shallow-Trench-Isolation)，金屬
前絕緣層(Pre-Metal-Dielectric)，金屬層間絕緣層(Inter-Metal-Dielectric)等等。本文所介
紹的高密度等離子體化學氣相淀積(HDP CVD)工藝自20 世紀90 年代中期開始被先進的
芯片工廠采用以來，以其卓越的填孔能力、穩定的淀積質量、可靠的電學特性等諸多優
點而迅速成為0.25 微米以下先進工藝的主流。圖1 所示即為在超大規模集成電路中
HDP CVD 工藝的典型應用。
隨著半導體技術的飛速發展，單個芯片上所能承載的晶體管數量以驚人的速度增
長，與此同時，半導體制造商們出于節約成本的需要迫切地希望單個晶圓上能夠容納更
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提出了更高的要求，其中一個具有挑戰性的難題就是絕緣介質在各個薄膜層之間均勻無
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紹的高密度等離子體化學氣相淀積(HDP CVD)工藝自20 世紀90 年代中期開始被先進的
芯片工廠采用以來，以其卓越的填孔能力、穩定的淀積質量、可靠的電學特性等諸多優
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