CN0311 使用LO二分頻調(diào)制器的寬帶低誤差矢量幅度(EVM)直接變頻發(fā)射機(jī)
2021-06-05 |
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資料介紹
CN0311 本文所述PLL轉(zhuǎn)調(diào)制器接口適用于所有集成2XLO分相器的
I/Q調(diào)制器。它還適用于基于2XLO的I/Q解調(diào)器, 如
ADL5387。 CN-0311使用EVAL-ADF4351EB1Z 和ADL5385-EVALZ 評(píng)估所述電路,能夠快速設(shè)置并進(jìn)行評(píng)估。。EVAL-ADF4351EB1Z使用評(píng)估板附帶光盤中的標(biāo)準(zhǔn)ADF4351 編程軟件。
設(shè)備要求
需要以下設(shè)備:
帶USB端口的Windows? XP、Vista或Windows 7 PC
EVAL-ADF4351EB1Z評(píng)估板
ADL5385-EVALZ評(píng)估板
ADF4351編程軟件
電源 (5 V, 500 mA)
I/Q信號(hào)源,如Rohde & Schwarz AMIQ
頻譜分析儀
另外,可參考針對(duì)EVAL-ADF4351EB1Z評(píng)估板的UG-435用
戶指南、ADF4351數(shù)據(jù)手冊(cè)和ADL5385數(shù)據(jù)手冊(cè)。
開始使用
測(cè)試設(shè)置的電路描述、原理圖和框圖詳細(xì)信息參見
CN-0311(見圖1和圖3)。UG-435用戶指南詳細(xì)說明了
EVAL-ADF4351EB1Z評(píng)估軟件的安裝和使用。UG-435還包
含電路板設(shè)置說明和電路板原理圖、布局和物料清單。
ADL5385數(shù)據(jù)手冊(cè)中含有ADL5385-EVALZ電路板原理圖、
框圖、物料清單、布局和組裝信息。相關(guān)器件信息,請(qǐng)參
考ADF4351數(shù)據(jù)手冊(cè)和ADL5385數(shù)據(jù)手冊(cè)。
功能框圖
本文所述測(cè)試設(shè)置的功能框圖見圖3
設(shè)置和測(cè)試
完成設(shè)備設(shè)置后,使用標(biāo)準(zhǔn)RF測(cè)試方法測(cè)量電路的邊帶抑制性能。 圖1所示電路使用完全集成的小數(shù)N分頻PLL ICADF4351。ADF4351向發(fā)射正交調(diào)制器ADL5385提供本振(LO頻率為調(diào)制器RF輸出頻率的兩倍)信號(hào),后者將模擬I/Q信號(hào)上變頻為RF信號(hào)。兩個(gè)器件共同提供寬帶基帶I/Q至RF發(fā)射解決方案。
ADF4351采用超低噪聲3.3 V ADP150 調(diào)節(jié)器供電,以實(shí)現(xiàn)最
佳LO相位噪聲性能。ADL5385 則采用5 V ADP3334 LDO供電。 ADP150LDO的輸出電壓噪聲僅為9 μV rms, rms(10 Hz至100 kHz積分),有助于優(yōu)化VCO相位噪聲并減少VCO推壓的影響(等效于電源抑制)。有關(guān)使用ADP150 LDO對(duì)ADF4351供電的更多詳情,請(qǐng)參見CN-0147。
ADL5385采用二分頻模塊產(chǎn)生正交LO信號(hào)。因此,正交精度取決于輸入LO信號(hào)的占空比精度(以及內(nèi)部分頻器觸發(fā)器的匹配)。上升和下降時(shí)間的任何不平衡都會(huì)導(dǎo)致偶次諧波出現(xiàn),影響ADF4351 RF的輸出。當(dāng)以差分形式驅(qū)動(dòng)調(diào)制器LO輸入時(shí),可以消除偶數(shù)階諧波,改善總體正交產(chǎn)生性能。 (詳見 “寬帶ADC前端設(shè)計(jì)考慮:何時(shí)使用雙變壓器配置。”作者:Rob Reeder和Ramya Ramachandran,模擬對(duì)話,40-07)
由于邊帶抑制性能取決于調(diào)制器的正交精度,相比單端方式,以差分方式驅(qū)動(dòng)LO輸入端口能獲得更佳的邊帶抑制。比起大部分集成VCO的競(jìng)爭(zhēng)型PLL器件所采用的單端輸出,ADF4351可提供差分RF輸出。
ADF4351輸出匹配包括ZBIAS上拉電阻,電源節(jié)點(diǎn)的去耦電容也起到一定的作用。為實(shí)現(xiàn)寬帶匹配,建議使用阻性負(fù)載(ZBIAS = 50Ω),或者將一個(gè)阻性負(fù)載與ZBIAS的電抗性負(fù)載并聯(lián)。后者提供的輸出功率稍高,具體取決于所選的電感。對(duì)于1 GHz以下的LO工作頻率,則使用數(shù)值為19 nH或更高的電感。利用ZBIAS = 50 Ω可得出本電路的測(cè)量結(jié)果;輸出功率設(shè)置為5 dBm。使用50 Ω電阻時(shí),此設(shè)置在全頻段
范圍內(nèi)的每輸出約為0 dBm;而使用差分輸入時(shí)為3 dBm。ADL5385 LO的輸入驅(qū)動(dòng)電平規(guī)格為?10 dBm至+5 dBm;因此,它能夠降低ADF4351的輸出功率,節(jié)省功耗。
邊帶抑制性能與RF輸出頻率的掃描關(guān)系圖如圖2所示。在該掃描圖中,測(cè)試條件如下
基帶I/Q幅度= 1.4 V p-p差分正弦波與500 mV直流偏置正
基帶I/Q頻率 (fBB) = 1 MHz
LO = 2 × RFOUT
測(cè)試設(shè)置的簡(jiǎn)化框圖如圖3所示。由于標(biāo)準(zhǔn)ADL5385板不支持差分LO輸入驅(qū)動(dòng),因此測(cè)試中使用了修改后的ADL5385評(píng)估板。
圖2. 邊帶抑制,RFOUT從30 MHz掃描至2200 MHz
?
圖3. 測(cè)量邊帶抑制的測(cè)試設(shè)置(原理示意圖)
?
相比數(shù)據(jù)手冊(cè)測(cè)量中利用低噪聲RF信號(hào)發(fā)生器驅(qū)動(dòng)ADL5385,本電路獲得了類似的(甚至更佳的)邊帶抑制性能。利用ADF4351的差分RF輸出可消除偶數(shù)階諧波,并提升調(diào)制器的正交精度。這會(huì)影響邊帶抑制性能和EVM。對(duì)圖1所示電路的測(cè)量表明,該電路的單載波W-CDMA復(fù)合EVM優(yōu)于2%。因此,該電路為30 MHz至2.2 GHz的頻率提供了低EVM寬帶解決方案。對(duì)于2.2 GHz以上的頻率,可使用一分頻調(diào)制器模塊,如CN-0285所述。
若需完整的設(shè)計(jì)支持包,請(qǐng)參閱http://www.analog.com/CN0311-DesignSupport. CN0311 使用LO二分頻調(diào)制器的寬帶低誤差矢量幅度(EVM)直接變頻發(fā)射機(jī) 本電路為寬帶直接變頻發(fā)射機(jī)模擬部分的完整實(shí)施方案(模擬基帶輸入、RF輸出)。通過使用鎖相環(huán)(PLL)和寬帶集成電壓控制振蕩器(VCO),本電路支持30 MHz至2.2 GHz范圍內(nèi)的RF頻率。與使用一分頻本地振蕩器(LO)級(jí)的調(diào)制器不同(如CN-0285中所述),本電路無需進(jìn)行LO的諧波濾波。
獲得最佳性能的唯一要求,就是以差分方式驅(qū)動(dòng)調(diào)制器的LO輸入。ADF4351 可提供差分RF輸出,因此極其適用于本電路。PLL轉(zhuǎn)調(diào)制器接口適用于所有集成2XLO分相器的I/Q調(diào)制器和I/Q解調(diào)器。低噪聲LDO確保電源管理方案對(duì)相位噪聲和誤差矢量幅度(EVM)沒有不利影響。這種器件組合可以提供30 MHz至2.2 GHz頻率范圍內(nèi)業(yè)界領(lǐng)先的直接變頻發(fā)射機(jī)性能。對(duì)于2.2 GHz以上的頻率,則推薦使用一分頻調(diào)制器,如CN-0285所述。
圖1.直接變頻發(fā)射機(jī)(原理示意圖:未顯示所有連接和去耦)
? CN0311 CN0311 | circuit note and reference circuit info 使用LO二分頻調(diào)制器的寬帶低誤差矢量幅度(EVM)直接變頻發(fā)射機(jī) | Analog Devices 本電路為寬帶直接變頻發(fā)射機(jī)模擬部分的完整實(shí)施方案(模
擬基帶輸入、RF輸出)。通過使用鎖相環(huán)(PLL)和寬帶集成
電壓控制振蕩器(VCO),本電路支持30 MHz至2.2 GHz范圍
內(nèi)的RF頻率。與使用一分頻本地振蕩器(LO)級(jí)的調(diào)制器不
同(如CN-0285中所述),本電路無需進(jìn)行LO
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