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電子發燒友網>電子資料下載>類型>參考設計>CN0311 使用LO二分頻調制器的寬帶低誤差矢量幅度(EVM)直接變頻發射機

CN0311 使用LO二分頻調制器的寬帶低誤差矢量幅度(EVM)直接變頻發射機

2021-06-05 | pdf | 148.61KB | 次下載 | 2積分

資料介紹

CN0311 本文所述PLL轉調制器接口適用于所有集成2XLO分相器的 I/Q調制器。它還適用于基于2XLO的I/Q解調器, 如 ADL5387。 CN-0311使用EVAL-ADF4351EB1Z 和ADL5385-EVALZ 評估所述電路,能夠快速設置并進行評估。。EVAL-ADF4351EB1Z使用評估板附帶光盤中的標準ADF4351 編程軟件。 設備要求 需要以下設備: 帶USB端口的Windows? XP、Vista或Windows 7 PC EVAL-ADF4351EB1Z評估板 ADL5385-EVALZ評估板 ADF4351編程軟件 電源 (5 V, 500 mA) I/Q信號源,如Rohde & Schwarz AMIQ 頻譜分析儀 另外,可參考針對EVAL-ADF4351EB1Z評估板的UG-435用 戶指南、ADF4351數據手冊和ADL5385數據手冊。 開始使用 測試設置的電路描述、原理圖和框圖詳細信息參見 CN-0311(見圖1和圖3)。UG-435用戶指南詳細說明了 EVAL-ADF4351EB1Z評估軟件的安裝和使用。UG-435還包 含電路板設置說明和電路板原理圖、布局和物料清單。 ADL5385數據手冊中含有ADL5385-EVALZ電路板原理圖、 框圖、物料清單、布局和組裝信息。相關器件信息,請參 考ADF4351數據手冊和ADL5385數據手冊。 功能框圖 本文所述測試設置的功能框圖見圖3 設置和測試 完成設備設置后,使用標準RF測試方法測量電路的邊帶抑制性能。 圖1所示電路使用完全集成的小數N分頻PLL ICADF4351。ADF4351向發射正交調制器ADL5385提供本振(LO頻率為調制器RF輸出頻率的兩倍)信號,后者將模擬I/Q信號上變頻為RF信號。兩個器件共同提供寬帶基帶I/Q至RF發射解決方案。 ADF4351采用超低噪聲3.3 V ADP150 調節器供電,以實現最 佳LO相位噪聲性能。ADL5385 則采用5 V ADP3334 LDO供電。 ADP150LDO的輸出電壓噪聲僅為9 μV rms, rms(10 Hz至100 kHz積分),有助于優化VCO相位噪聲并減少VCO推壓的影響(等效于電源抑制)。有關使用ADP150 LDO對ADF4351供電的更多詳情,請參見CN-0147。 ADL5385采用二分頻模塊產生正交LO信號。因此,正交精度取決于輸入LO信號的占空比精度(以及內部分頻器觸發器的匹配)。上升和下降時間的任何不平衡都會導致偶次諧波出現,影響ADF4351 RF的輸出。當以差分形式驅動調制器LO輸入時,可以消除偶數階諧波,改善總體正交產生性能。 (詳見 “寬帶ADC前端設計考慮:何時使用雙變壓器配置。”作者:Rob Reeder和Ramya Ramachandran,模擬對話,40-07) 由于邊帶抑制性能取決于調制器的正交精度,相比單端方式,以差分方式驅動LO輸入端口能獲得更佳的邊帶抑制。比起大部分集成VCO的競爭型PLL器件所采用的單端輸出,ADF4351可提供差分RF輸出。 ADF4351輸出匹配包括ZBIAS上拉電阻,電源節點的去耦電容也起到一定的作用。為實現寬帶匹配,建議使用阻性負載(ZBIAS = 50Ω),或者將一個阻性負載與ZBIAS的電抗性負載并聯。后者提供的輸出功率稍高,具體取決于所選的電感。對于1 GHz以下的LO工作頻率,則使用數值為19 nH或更高的電感。利用ZBIAS = 50 Ω可得出本電路的測量結果;輸出功率設置為5 dBm。使用50 Ω電阻時,此設置在全頻段 范圍內的每輸出約為0 dBm;而使用差分輸入時為3 dBm。ADL5385 LO的輸入驅動電平規格為?10 dBm至+5 dBm;因此,它能夠降低ADF4351的輸出功率,節省功耗。 邊帶抑制性能與RF輸出頻率的掃描關系圖如圖2所示。在該掃描圖中,測試條件如下 基帶I/Q幅度= 1.4 V p-p差分正弦波與500 mV直流偏置正 基帶I/Q頻率 (fBB) = 1 MHz LO = 2 × RFOUT 測試設置的簡化框圖如圖3所示。由于標準ADL5385板不支持差分LO輸入驅動,因此測試中使用了修改后的ADL5385評估板。 圖2. 邊帶抑制,RFOUT從30 MHz掃描至2200 MHz ? 圖3. 測量邊帶抑制的測試設置(原理示意圖) ? 相比數據手冊測量中利用低噪聲RF信號發生器驅動ADL5385,本電路獲得了類似的(甚至更佳的)邊帶抑制性能。利用ADF4351的差分RF輸出可消除偶數階諧波,并提升調制器的正交精度。這會影響邊帶抑制性能和EVM。對圖1所示電路的測量表明,該電路的單載波W-CDMA復合EVM優于2%。因此,該電路為30 MHz至2.2 GHz的頻率提供了低EVM寬帶解決方案。對于2.2 GHz以上的頻率,可使用一分頻調制器模塊,如CN-0285所述。 若需完整的設計支持包,請參閱http://www.analog.com/CN0311-DesignSupport. CN0311 使用LO二分頻調制器的寬帶低誤差矢量幅度(EVM)直接變頻發射機 本電路為寬帶直接變頻發射機模擬部分的完整實施方案(模擬基帶輸入、RF輸出)。通過使用鎖相環(PLL)和寬帶集成電壓控制振蕩器(VCO),本電路支持30 MHz至2.2 GHz范圍內的RF頻率。與使用一分頻本地振蕩器(LO)級的調制器不同(如CN-0285中所述),本電路無需進行LO的諧波濾波。 獲得最佳性能的唯一要求,就是以差分方式驅動調制器的LO輸入。ADF4351 可提供差分RF輸出,因此極其適用于本電路。PLL轉調制器接口適用于所有集成2XLO分相器的I/Q調制器和I/Q解調器。低噪聲LDO確保電源管理方案對相位噪聲和誤差矢量幅度(EVM)沒有不利影響。這種器件組合可以提供30 MHz至2.2 GHz頻率范圍內業界領先的直接變頻發射機性能。對于2.2 GHz以上的頻率,則推薦使用一分頻調制器,如CN-0285所述。 圖1.直接變頻發射機(原理示意圖:未顯示所有連接和去耦) ? CN0311 CN0311 | circuit note and reference circuit info 使用LO二分頻調制器的寬帶低誤差矢量幅度(EVM)直接變頻發射機 | Analog Devices 本電路為寬帶直接變頻發射機模擬部分的完整實施方案(模 擬基帶輸入、RF輸出)。通過使用鎖相環(PLL)和寬帶集成 電壓控制振蕩器(VCO),本電路支持30 MHz至2.2 GHz范圍 內的RF頻率。與使用一分頻本地振蕩器(LO)級的調制器不 同(如CN-0285中所述),本電路無需進行LO
  • 直接變頻發射機
  • 低誤差向量幅度
  • 30MHz至2.2GHz RF輸出
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