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標(biāo)簽 > 分立器件
分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信,汽車(chē)電子、led顯示屏等領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中有兩大分支:集成電路和分立器件。
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分立器件等效模型 電阻阻抗絕對(duì)值與頻率的關(guān)系
下圖描繪了電阻的阻抗絕對(duì)值與頻率的關(guān)系,正像看到的那樣,并超過(guò)一定值 時(shí),寄生電容的影響成為主要的,它引起電阻阻抗的下降。當(dāng)頻率繼續(xù)升高時(shí),由于引線電感...
下圖描繪了電阻的阻抗絕對(duì)值與頻率的關(guān)系,正像看到的那樣,低頻時(shí)電阻的阻抗是R,然而當(dāng)頻率升高并超過(guò)一定值 時(shí),寄生電容的影響成為主要的,它引起電阻阻抗的...
GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡(jiǎn)介以及其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)分析
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)...
詳解半導(dǎo)體分立器件脈沖測(cè)試的必要性及相關(guān)要求
半導(dǎo)體分立器件通常包括二極管、三極管、MOS 埸效應(yīng)管、結(jié)型埸效應(yīng)管、可控硅、光電耦合器等各種器件。在對(duì)這些器件進(jìn)行參數(shù)測(cè)試時(shí),需要首先使被測(cè)試器件滿...
大容量電池必然帶來(lái)長(zhǎng)時(shí)間的充電時(shí)間,同時(shí)對(duì)智能手機(jī)的充電技術(shù)提出了更高的要求。本文主要對(duì)目前主流智能手機(jī)充電方案做個(gè)詳細(xì)的介紹。##開(kāi)關(guān)充電方案。
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