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標(biāo)簽 > 分立器件
分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信,汽車電子、led顯示屏等領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中有兩大分支:集成電路和分立器件。
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分立器件可靠性:從工業(yè)死機(jī)到汽車故障的隱形防線
本文聚焦分立器件可靠性,指出35%電子設(shè)備失效源于選型不當(dāng)。解析可靠性三大核心指標(biāo)(標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、參數(shù)分析、實(shí)測(cè)驗(yàn)證)及選型三大黃金法則,強(qiáng)調(diào)避免常溫參數(shù)忽...
2025年慕尼黑上海電子展即將在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉辦。2025年4月15-17日飛虹半導(dǎo)體攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT...
GaN充電器高頻化之路:分立器件如何破解電磁干擾與協(xié)同難題?
本文針對(duì) GaN 器件高頻化挑戰(zhàn),合科泰分析寄生電感振蕩與驅(qū)動(dòng)信號(hào)失真問(wèn)題,提出通過(guò)器件選型、PCB 布局及電路優(yōu)化等方案,提升高頻應(yīng)用性能與可靠性。
第104屆中國(guó)電子展即CITE2025即將在深圳會(huì)展中心(福田)隆重舉辦。2025年4月9-11日飛虹半導(dǎo)體受邀參展,攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體亮相2025中國(guó)電機(jī)智造研討會(huì)
近日,由Big-Bit商務(wù)網(wǎng)主辦的<2025中國(guó)電機(jī)智造與創(chuàng)新應(yīng)用暨電機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈交流會(huì)>在深圳登喜路國(guó)際大酒店隆重啟幕。作為半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域...
在現(xiàn)代工業(yè)和生活中,電動(dòng)工具扮演著不可或缺的角色,從建筑工地到家庭裝修,從專業(yè)維修到日常DIY,它們以其高效、便捷的特性,極大地提升了工作效率和生活質(zhì)量...
2025-03-24 標(biāo)簽:MOS管分立器件電動(dòng)工具 217 0
英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代Cool...
喜報(bào)丨永裕泰榮獲國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)證書
2025開(kāi)年新篇章,深圳市永裕泰電子有限公司獲得了由深圳市工業(yè)和信息化局、深圳市財(cái)政局、國(guó)家稅務(wù)總局深圳市稅務(wù)局聯(lián)合頒發(fā)的“高新技術(shù)企業(yè)”證書。至此,深...
新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMO...
南充市領(lǐng)導(dǎo)蒞臨合科泰集團(tuán)南充生產(chǎn)中心調(diào)研
日前,市委書記張冬云率三區(qū)六縣有關(guān)部門領(lǐng)導(dǎo)共54人,參觀指導(dǎo)合科泰集團(tuán)南充生產(chǎn)中心,調(diào)研合科泰集團(tuán)生產(chǎn)中心的建設(shè)、運(yùn)行進(jìn)度情況。調(diào)研過(guò)程中市委書記張冬云...
Bourns榮獲2024亞洲金選獎(jiǎng)最佳分立器件獎(jiǎng)
榮幸見(jiàn)證 Bourns 在 2024 亞洲 EE 獎(jiǎng)上大放異彩,憑借 PTVS2-xxxC-H 高電流 TVS 二極管 榮獲 年度最佳分立器件獎(jiǎng)!該獎(jiǎng)項(xiàng)...
2024年9月13日,中國(guó)電子商會(huì)上合組織國(guó)家數(shù)字科技平臺(tái)工作委員會(huì)于深圳精心組織了首場(chǎng)“絲路出海”活動(dòng)。我司陳景雄董事長(zhǎng)承蒙中國(guó)電子商會(huì)主辦方盛情邀請(qǐng)...
2024-09-21 標(biāo)簽:分立器件電子企業(yè)中國(guó)電子商會(huì) 334 0
合科泰榮獲第七屆“藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)”國(guó)際影響力品牌獎(jiǎng)
2024電子信息產(chǎn)業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力交流大會(huì)暨第七屆“藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)盛典在深圳隆重舉行,大會(huì)匯聚了來(lái)自政府、學(xué)術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界及企業(yè)界近600位嘉賓。合科泰憑借其優(yōu)...
智能門鎖逐漸成為很多小區(qū)內(nèi)的標(biāo)配產(chǎn)品,它在用戶安全性、識(shí)別和管理性方面更加便捷和智能,智能門鎖需要很多電子元器件,其中,分立器件產(chǎn)品是智能門鎖產(chǎn)品的基本...
BW-4022A 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)
博微BW-4022A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)
2024-07-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)分立器件 739 0
博微BW-4022A 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試針對(duì)Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等高精度靜態(tài)參數(shù)包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直...
2024-06-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)分立器件 525 0
產(chǎn)品資訊 全新40V STripFET F8 MOSFET,性能先進(jìn)且EMI極低 具有出色的本體二極管恢復(fù)軟度,可確保您的高性能解決方案符合相關(guān)要求。 ...
HUSTEC-DC-2010分立器件測(cè)試儀,是我司團(tuán)隊(duì)結(jié)合多年半導(dǎo)體器件測(cè)試經(jīng)驗(yàn)而研發(fā)的,可以應(yīng)用于多種場(chǎng)景,如: ? 測(cè)試分析(功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的...
半導(dǎo)體分立器件廠商MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在第八屆“深圳(灣區(qū))國(guó)際品牌周上獲雙項(xiàng)“知名品牌”
近日,以“探索品牌無(wú)限未來(lái)”為主題的第八屆“深圳(灣區(qū))國(guó)際品牌周暨2024年中國(guó)品牌日·深圳地方特色活動(dòng)”在深圳廣電大廈舉行。現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布了第二十一屆“深...
2024-05-14 標(biāo)簽:分立器件半導(dǎo)體分立器件MDD 1051 0
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