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標(biāo)簽 > 功率元器件
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關(guān)于功率模塊冷卻的六個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題
引言功率模塊是電力電子領(lǐng)域必不可少的元器件,它們具有功率轉(zhuǎn)換和功率管理的功能。但是,它們?cè)诠ぷ鬟^(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量,這會(huì)導(dǎo)致性能下降,甚至損壞元器件。因...
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。
測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性,但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
整流橋作為一種功率元器件,廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn) 把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極-源極電壓的行為,該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件(II),即HS(非開(kāi)關(guān)側(cè))的VGS的正浪涌,正如在上一...
表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍(lán)色部分是用于功率元器件時(shí)的重要參數(shù)。如數(shù)值所示,SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢(shì)。另外,與其他新材料不同,它的一大特征是...
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)
作為Si功率元器件評(píng)估篇的第2波,將開(kāi)始一系列有關(guān)Si功率元器件通過(guò)PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類(lèi)大功率電源中大多采用全...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
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【2019ROHM科技展】:4大展區(qū)+6場(chǎng)技術(shù)研討會(huì),邀您免費(fèi)參會(huì)贏(yíng)豪禮!(總價(jià)值超過(guò)10000元)
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羅姆為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案
隨著人工智能持續(xù)重新定義計(jì)算的邊界,為這些進(jìn)步提供動(dòng)力的基礎(chǔ)設(shè)施也必須同步發(fā)展。作為功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者,羅姆很榮幸成為支持英偉達(dá)全新800V...
羅姆:先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能
隨著向無(wú)碳社會(huì)的推進(jìn)以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢瑢?duì)不斷提高能源利用效率并改進(jìn)逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。 而功率元器件和模擬I...
先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能
隨著向無(wú)碳社會(huì)的推進(jìn)以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢瑢?duì)不斷提高能源利用效率并改進(jìn)逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。 而功率元器件和模擬I...
先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件和模擬IC助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能
隨著向無(wú)碳社會(huì)的推進(jìn)以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢瑢?duì)不斷提高能源利用效率并改進(jìn)逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。 而功率元器件和模擬I...
當(dāng)絕緣體內(nèi)存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時(shí),在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發(fā)生局部放電(PartialDischarge,PD)...
2024-05-28 標(biāo)簽:功率元器件 581 0
國(guó)產(chǎn)碳化硅進(jìn)擊8英寸 8英寸有何優(yōu)勢(shì)
隨著新能源汽車(chē)、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展,國(guó)內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭對(duì)該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣,并與國(guó)內(nèi)企業(yè)合作,積極追趕...
2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率半導(dǎo)體碳化硅 2167 0
【大大魚(yú)干的類(lèi)比電源講堂】Infineon IGBT 的死區(qū)計(jì)算
在現(xiàn)代工業(yè)的各種應(yīng)用中,經(jīng)常使用帶有功率元器件(MOFET、IGBT……)當(dāng)作輸出的驅(qū)動(dòng)電路,其中最常見(jiàn)、也最容易造成問(wèn)題的不外乎就是會(huì)上、下交替導(dǎo)通的...
ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...
2023-05-24 標(biāo)簽:GaN羅姆半導(dǎo)體功率元器件 994 0
SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)
SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通...
2023-02-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiC功率元器件 707 0
在以前的ECU中,大多數(shù)將繼電器用作驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件,后來(lái)這種機(jī)械繼電器開(kāi)始向半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。并且這一趨勢(shì)迅速席卷了整車(chē)各個(gè)應(yīng)用,尤其是在電機(jī)和加熱...
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