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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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車規(guī)模塊系列(四):Cu-Clip互連技術(shù)簡(jiǎn)析
在上篇討論TPAK封裝時(shí),我們聊到了Cu-Clip技術(shù),當(dāng)然它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中
功率半導(dǎo)體和集成電路是兩種不同類型的電子器件,它們?cè)谠O(shè)計(jì)、制造、應(yīng)用等方面有著顯著的區(qū)別。下面將詳細(xì)介紹功率半導(dǎo)體和集成電路的區(qū)別。 一、定義 功率半導(dǎo)...
2023-12-04 標(biāo)簽:集成電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管 2892 0
超大功率晶閘管(Ultra-large Power Thyristor,簡(jiǎn)稱ULTRA-T)是一種用于高電壓、高電流場(chǎng)合的功率半導(dǎo)體器件,通常應(yīng)用于工...
2023-02-20 標(biāo)簽:晶閘管高電壓功率半導(dǎo)體 2887 0
電動(dòng)車用大功率 IGBT模塊測(cè)試解決方案
功率半導(dǎo)體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。
2020-11-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車IGBT功率半導(dǎo)體 2810 0
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 標(biāo)簽:器件功率半導(dǎo)體功率密度 2807 0
1940年,貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí),發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年,美國(guó)通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電...
用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓?fù)涞腟iC MOSFET
效率、生產(chǎn)力和立法是當(dāng)今電力應(yīng)用的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品,節(jié)約能源成本,更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。 在這方面,功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:三相功率轉(zhuǎn)換SiC 2757 0
GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì),但同時(shí)也存在一些缺...
2024-08-15 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體HEMT 2747 0
MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在...
2019-10-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2738 0
離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì),以改變其電學(xué)性能的方法,可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。
2022-11-30 標(biāo)簽:制造功率半導(dǎo)體碳化硅 2734 0
淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)
電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。
PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對(duì)擊穿電壓的影響
在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中,PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位,其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 標(biāo)簽:PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 2621 0
igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(大功率晶體管)的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-10 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 2604 0
硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中,如電源、電機(jī)控制、工廠自動(dòng)化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...
2023-11-09 標(biāo)簽:集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 2563 0
功率半導(dǎo)體是一類能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號(hào)控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號(hào)輸出,廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸、新能源...
2023-02-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2559 0
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件,其功能包括但不限于以下幾個(gè)方面: 開關(guān)控制:功率半導(dǎo)體器件常常用于開關(guān)控制電路中,通過控制其導(dǎo)通和截止...
2023-02-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2524 0
小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)?什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系? 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體,具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...
一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?車規(guī)級(jí)芯片分類介紹
當(dāng)finFET被提出時(shí),相對(duì)于互連層而言,晶體管及相關(guān)邏輯單元制作工藝復(fù)雜度成比例增加。隨著更多晶體管技術(shù)被提出,這一差別有望延續(xù)至5nm,3nm和更低。
2023-06-16 標(biāo)簽:汽車電子晶體管功率半導(dǎo)體 2478 0
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