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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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概倫電子功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)分析驗(yàn)證工具PTM介紹
PTM是一款應(yīng)用于功率器件和電源芯片的設(shè)計(jì)分析套件,支持高精度提取Rdson、驗(yàn)證器件的開關(guān)行為,以此提高IC產(chǎn)品的可靠性和壽命,已獲得頂級(jí)IDM和設(shè)計(jì)...
UCC14240-Q1 汽車類 2.0W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC14240-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC14240-Q1 將變...
大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于Infineon核心技術(shù)的 48V EEA方案 引領(lǐng)未來
品佳集團(tuán)推出基于Infineon技術(shù)的48V EEA方案,兼容12V與48V平臺(tái),支持多種負(fù)載類型,具備高安全性、靈活性和可擴(kuò)展性,滿足新型電動(dòng)汽車的多...
中微愛芯高速中壓全橋驅(qū)動(dòng)電路AiP2180介紹
AiP2180是一款高速中壓全橋驅(qū)動(dòng)電路。該電路主要用于驅(qū)動(dòng)中壓功率器件,如N型MOSFET或IGBT等,電路內(nèi)置可調(diào)死區(qū)控制,可以調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)效率,支持獨(dú)...
2025-04-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路功率器件 169 0
射頻微波(RF&Microwave)技術(shù)是利用300MHz~300GHz頻段電磁波實(shí)現(xiàn)信息傳輸、能量轉(zhuǎn)換與傳遞的核心技術(shù)。隨著航空航天、無線通信...
2025-04-09 標(biāo)簽:功率器件無線電通信微波射頻技術(shù) 313 0
電源IC U5402的典型應(yīng)用和主要特點(diǎn)
電源ic U5402通過硬件電路實(shí)現(xiàn)雙通道輸入的信號(hào)互鎖,確保高低側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)無法同時(shí)導(dǎo)通,避免功率器件(如MOSFET/IGBT)因直通電流導(dǎo)致短路損壞...
UCC24610 次級(jí)側(cè)同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
這款 GREEN 整流器控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動(dòng)器,適用于用于低壓次級(jí)側(cè)同步整流的標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。 控制器...
2025-03-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器整流器 197 0
在研究逆變電路的損耗時(shí),所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性,同時(shí)還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關(guān)...
2025-03-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器仿真功率器件 715 0
UCC24630 具有超低待機(jī)電流的同步整流控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC24630 SR 控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動(dòng)器,用于用于次級(jí)側(cè)同步整流的 N 溝道 MOSFET 功率器件。 控制器和 MOSFET 的...
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路功率器件 1083 0
金屬基板 | 全球領(lǐng)先技術(shù)DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案
DOH:DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及...
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用
在工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,儲(chǔ)能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC)功率器件的廣泛應(yīng)用,儲(chǔ)能PCS的效率、...
DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題
引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對(duì)散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度...
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述
拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問題沒找到答案。有...
GaN Systems易于驅(qū)動(dòng)的GaN功率器件技術(shù)文檔詳解
GaN Systems易于驅(qū)動(dòng)的GaN功率器件技術(shù)文檔
隨著5G時(shí)代的到來,電子技術(shù)向著高功率、高密度和集成化的方向發(fā)展,對(duì)于大功率器件的封裝,如IGBT、MOS、大功率LED等,也相應(yīng)地對(duì)焊接材料提出了更高...
2025-02-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體封裝回流焊 510 0
具有集成驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)
德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實(shí)現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...
2025-02-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 359 0
技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器
UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅(qū)動(dòng)器,適用于標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過實(shí)現(xiàn)近乎理想的二極管仿真UCC246...
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