功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

SiC功率器件輻照效應(yīng)研究進展概述

隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展，作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅（Si）與砷化鎵（GaAs）在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。

2023-12-13 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 功率器件 5688 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及未來趨勢

隨著科技的不斷進步，電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達到其性能極限。為了滿足不斷增長的性能需求，碳化硅（SiC）...

2023-12-13 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 978 0

碳化硅的優(yōu)勢和難處

　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率。

2023-12-11 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 4110 0

LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖

線性電源功率器件工作在線性狀態(tài)，如我們常用的穩(wěn)壓芯片LM7805、LM317、SPX1117等。下圖1是LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖。

2023-12-08 標(biāo)簽：pcb 開關(guān)電源電源電路 7303 0

氮化鎵(GaN)器件基礎(chǔ)技術(shù)問題分享

作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。

2023-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率器件 4577 0

新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...

2023-12-06 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT 功率器件 1568 0

LDMOS在ESD設(shè)計中的應(yīng)用設(shè)計思路

LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件，主要應(yīng)用于高壓場合。而針對高壓芯片的ESD防護領(lǐng)域，可采取GGNLDMOS的設(shè)計思路。

2023-12-06 標(biāo)簽：ESD 功率器件 LDMOS 7760 0

碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著科技的不斷進步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 2015 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造電動汽車（EV）、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體功率器件 1075 0

如何為功率器件找到合適的驅(qū)動芯片

每一個功率器件都需要一個驅(qū)動芯片，合適的驅(qū)動芯片總能帶來事半功倍的效果，為客戶提供全面、高效的產(chǎn)品和解決方案

2023-12-04 標(biāo)簽：整流器驅(qū)動IC 功率器件 406 0

碳化硅功率器件在儲能領(lǐng)域的應(yīng)用示例

碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車（BEV）電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機驅(qū)動以及太陽能和風(fēng)力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)...

2023-12-03 標(biāo)簽：太陽能功率器件 SiC 1257 0

什么是外延工藝？什么是單晶與多晶？哪些地方會涉及到外延工藝？

外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 4596 0

功率器件介紹、市場概況、產(chǎn)業(yè)鏈分析，您想了解的都在這里了

變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產(chǎn)品中，如供電電路中的電壓波動整形、產(chǎn)生變頻輸出功率來控制電機轉(zhuǎn)動速度，后者在變頻空調(diào)、...

2023-11-30 標(biāo)簽：IGBT 功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 8791 0

幾種優(yōu)化EM的有效措施

由于電遷移效應(yīng)，金屬線可能會斷裂并短路。EM會增加導(dǎo)線電阻，這會導(dǎo)致電壓下降，從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開路，它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。

2023-11-30 標(biāo)簽：電流 MOS管電源模塊 2300 0

功率集成電路設(shè)計之結(jié)終端技術(shù)

通常采用半絕緣多晶硅（Semi-Insulating Polycrystalline Silicon，SIPOS），其兩端分別與器件的兩個電極相連，因為...

2023-11-30 標(biāo)簽：集成電路 MOSFET 功率器件 5709 0

如何正確理解功率器件的FoM？

在電源應(yīng)用中，哪怕已經(jīng)確定拓撲結(jié)構(gòu)、頻率和負載范圍等需求，工程師短時間內(nèi)也很難判斷哪一種開關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”（Figure of Merit, ...

2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET FOM 功率器件 9144 0

如何實現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān)，一個200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎？它可以每個周期快速關(guān)斷600安培的電流，電流...

2023-11-27 標(biāo)簽：英飛凌晶圓 IGBT 1405 0

倍思氮化鎵充電器怎么樣

倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器，具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點。下面我們將詳細介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點、使用體驗和與其他產(chǎn)品的比較，幫助您更好...

2023-11-24 標(biāo)簽：電阻充電器功率器件 2305 0

深度解析電動汽車核心器件——IGBT

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。

2023-11-24 標(biāo)簽：cpu IGBT 晶體管 2986 0

英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則

2023-11-23 標(biāo)簽：英飛凌 IGBT 功率器件 2349 0

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工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
英偉達

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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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無人機技術(shù)

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以無人駕駛來說，城市中將建造一個巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機就能隨時呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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ARM架構(gòu)過去稱作進階精簡指令集機器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。
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Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機處理能力，幫您實現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍牙、多媒體、3D游戲等各項功能。
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OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
Windows CE

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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
JDI

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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機上有哪些類和實例等。
NFS

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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機一樣。
麒麟960

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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目，是一系列軟件開源項目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項目。
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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中，負責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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