TOLL及TO-247-4L封裝介紹

隨著科技的不斷發(fā)展，功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率，封測(cè)企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...

2023-10-13 標(biāo)簽：MOSFET散熱器驅(qū)動(dòng)電路 5152 0

功率器件開關(guān)速度對(duì)傳導(dǎo)、輻射產(chǎn)生的認(rèn)識(shí)

高頻變化的電流在電感上產(chǎn)生電磁能量收放，這種磁場(chǎng)是空間發(fā)散的，不受控集中時(shí)，會(huì)對(duì)空間別的線路產(chǎn)生d電-d磁-d電的干擾，應(yīng)盡量做小線路中分布電感。

2023-10-13 標(biāo)簽：電源電路電磁輻射emc 790 0

電路可靠性設(shè)計(jì)之降額參數(shù)及降額因子

1級(jí)降額，最大的降額，適用于： a.失效將導(dǎo)致人員傷亡或設(shè)備及保護(hù)措施的嚴(yán)重破壞； b.高可靠性要求的設(shè)備卻采用了新技術(shù)新工藝； c.設(shè)備失效不能維修；...

2023-10-12 標(biāo)簽：集成電路電阻運(yùn)算放大器 5125 0

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

2023-10-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 1290 0

中國新能源汽車高壓控制器芯片白皮書

　我們的研究顯示，早期市場(chǎng)的發(fā)展多由政策推動(dòng)，隨著三電技術(shù)提升、智能網(wǎng)聯(lián)配置的加持，新能源汽車產(chǎn)品的性價(jià)比得到了極大的提升。“續(xù)航里程 +補(bǔ)能體驗(yàn)”的雙...

2023-10-09 標(biāo)簽：新能源汽車控制器功率器件 584 0

陽光電動(dòng)力混合動(dòng)力雙電機(jī)控制器四大關(guān)鍵

針對(duì)整車發(fā)動(dòng)機(jī)艙裝配空間有限的痛點(diǎn)，HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設(shè)計(jì)，應(yīng)用注塑銅排，減少絕緣空間占用，結(jié)構(gòu)更加緊湊，實(shí)現(xiàn)高功率密度。

2023-10-09 標(biāo)簽：發(fā)動(dòng)機(jī)控制器電機(jī)控制器 1830 0

充電樁行業(yè)七大發(fā)展趨勢(shì)

介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù)，器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...

2023-10-09 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 652 0

新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造技術(shù)

　　柵極電壓。上升過程，P阱中電子流向溝道，空穴流出P阱，在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時(shí)，P阱瞬態(tài)電位上升，等效閾值電壓升高; 　　漏極電壓下...

2023-10-08 標(biāo)簽：新能源汽車電阻功率器件 805 0

SiC材料及器件介紹

SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

2023-09-28 標(biāo)簽：晶圓場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管 4500 0

碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)

根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

2023-09-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 999 0

2023-09-27 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1597 0

功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)介紹

尤其是在目前功率器件高電壓、大電流和封裝 體積緊湊化的發(fā)展背景下，封裝器件的散熱問題已 變得尤為突出且更具挑戰(zhàn)性。芯片產(chǎn)生的熱量 會(huì)影響載流子遷移率而降...

2023-09-25 標(biāo)簽：封裝電力系統(tǒng)功率器件 1093 0

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGA功率器件 965 0

IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.4萬 0

PCB銅皮面積的計(jì)算

首先給出答案，對(duì)于散熱，并非銅皮面積越大越好，銅皮較薄時(shí)更是如此。

2023-09-21 標(biāo)簽：PCBsmt散熱 4361 0

功率器件可靠性試驗(yàn)測(cè)試項(xiàng)目

龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心，專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測(cè)、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評(píng)估，公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗(yàn)條件和抽樣原則，制...

2023-09-20 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體元器件 1961 0

高速風(fēng)筒一站式解決方案

電吹風(fēng)是居家生活必備物品。傳統(tǒng)的吹風(fēng)機(jī)轉(zhuǎn)速通常在2萬轉(zhuǎn)左右，干發(fā)速度較慢（中長(zhǎng)發(fā)常常超過10分鐘以上）；利用高溫干發(fā)，還容易損傷頭發(fā)；噪聲比較大的同時(shí)重...

2023-09-19 標(biāo)簽：PWM電機(jī)emc 4094 0