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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率,封測(cè)企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...
2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET散熱器驅(qū)動(dòng)電路 5152 0
Revasum與SGSS建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
Revasum是一家專門從事半導(dǎo)體器件制造過程中所用資本設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造的公司,宣布與提供高性能材料和創(chuàng)新解決方案的圣戈班表面解決方案(SGSS)建立戰(zhàn)...
功率器件開關(guān)速度對(duì)傳導(dǎo)、輻射產(chǎn)生的認(rèn)識(shí)
高頻變化的電流在電感上產(chǎn)生電磁能量收放,這種磁場(chǎng)是空間發(fā)散的,不受控集中時(shí),會(huì)對(duì)空間別的線路產(chǎn)生d電-d磁-d電的干擾,應(yīng)盡量做小線路中分布電感。
電裝和三菱電機(jī)將在碳化硅業(yè)務(wù)上合計(jì)投資10億美元
市場(chǎng)估計(jì)表明,SiC總潛在市場(chǎng)將從2022年的30億美元增長(zhǎng)到2030年的210億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為28%。 相干公司宣布,電裝和三菱電機(jī)將在其碳化硅...
電路可靠性設(shè)計(jì)之降額參數(shù)及降額因子
1級(jí)降額,最大的降額,適用于: a.失效將導(dǎo)致人員傷亡或設(shè)備及保護(hù)措施的嚴(yán)重破壞; b.高可靠性要求的設(shè)備卻采用了新技術(shù)新工藝; c.設(shè)備失效不能維修;...
2023-10-12 標(biāo)簽:集成電路電阻運(yùn)算放大器 5125 0
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1290 0
我們的研究顯示,早期市場(chǎng)的發(fā)展多由政策推動(dòng),隨著三電技術(shù)提升、智能網(wǎng)聯(lián)配置的加持,新能源汽車產(chǎn)品的性價(jià)比得到了極大的提升。“續(xù)航里程 +補(bǔ)能體驗(yàn)”的雙...
陽光電動(dòng)力混合動(dòng)力雙電機(jī)控制器四大關(guān)鍵
針對(duì)整車發(fā)動(dòng)機(jī)艙裝配空間有限的痛點(diǎn),HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設(shè)計(jì),應(yīng)用注塑銅排,減少絕緣空間占用,結(jié)構(gòu)更加緊湊,實(shí)現(xiàn)高功率密度。
2023-10-09 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)控制器電機(jī)控制器 1830 0
介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...
新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造技術(shù)
柵極電壓。上升過程,P阱中電子流向溝道,空穴流出P阱,在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時(shí),P阱瞬態(tài)電位上升,等效閾值電壓升高; 漏極電壓下...
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
SiC,作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2023-09-28 標(biāo)簽:晶圓場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管 4500 0
碳化硅器件“上車”加快,800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)
根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序,業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵...
功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)介紹
尤其是在目前功率器件高電壓、大電流和封裝 體積緊湊化的發(fā)展背景下,封裝器件的散熱問題已 變得尤為突出且更具挑戰(zhàn)性。芯片產(chǎn)生的熱量 會(huì)影響載流子遷移率而降...
2023-09-25 標(biāo)簽:封裝電力系統(tǒng)功率器件 1093 0
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶...
龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心,專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測(cè)、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評(píng)估,公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗(yàn)條件和抽樣原則,制...
2023-09-20 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體元器件 1961 0
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