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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

UCC24610 次級側(cè)同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊

這款 GREEN 整流器控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動器，適用于用于低壓次級側(cè)同步整流的標準和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。控制器...

2025-03-28 標簽：MOSFET 驅(qū)動器整流器 353 0

逆變電路中功率器件的損耗分析

在研究逆變電路的損耗時，所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性，同時還需要進行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關(guān)...

2025-03-27 標簽：轉(zhuǎn)換器仿真功率器件 904 0

UCC24630 具有超低待機電流的同步整流控制器數(shù)據(jù)手冊

UCC24630 SR 控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動器，用于用于次級側(cè)同步整流的 N 溝道 MOSFET 功率器件。控制器和 MOSFET 的...

2025-03-25 標簽：MOSFET 控制器功率器件 333 0

GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案

2025-03-13 標簽：電路設(shè)計驅(qū)動電路功率器件 7550 0

金屬基板 | 全球領(lǐng)先技術(shù)DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案

DOH：DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及...

2025-03-09 標簽：IGBT 功率器件熱管理 632 0

基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用

在工商業(yè)儲能系統(tǒng)中，儲能變流器（PCS）是核心組件之一，其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅（SiC）功率器件的廣泛應(yīng)用，儲能PCS的效率、...

2025-03-03 標簽：MOSFET 功率器件 PCS 1221 0

DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題

引言：隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件對散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料，以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機械強度...

2025-03-01 標簽：IGBT 散熱功率器件 578 0

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

拿到一個ST的宣傳材料，該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案，也找了文章了解了一下原理。資料有限，標題的問題沒找到答案。有...

2025-03-01 標簽：MOSFET 逆變器功率器件 772 0

GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔詳解

GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔

2025-02-27 標簽：功率器件 GaN 7491 0

新型功率器件真空回流焊焊接空洞的探析及解決方案

隨著5G時代的到來，電子技術(shù)向著高功率、高密度和集成化的方向發(fā)展，對于大功率器件的封裝，如IGBT、MOS、大功率LED等，也相應(yīng)地對焊接材料提出了更高...

2025-02-27 標簽：功率器件半導(dǎo)體封裝回流焊 772 0

GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 標簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 411 0

具有集成驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計

德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品家族，該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝，封裝尺寸為12毫米x12毫米...

2025-02-25 標簽：ti 功率器件 GaN 346 0

應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)

德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵（GaN）功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...

2025-02-25 標簽：驅(qū)動器封裝功率器件 457 0

技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器

UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅(qū)動器，適用于標準和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過實現(xiàn)近乎理想的二極管仿真UCC246...

2025-02-24 標簽：MOSFET 整流器功率器件 761 0

超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性

#超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#在全負載范圍內(nèi)，相比傳統(tǒng)功率器件，超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。...

2025-02-20 標簽：MOS 功率器件電源管理芯片 474 0

垂直氮化鎵器件的最新進展和可靠性挑戰(zhàn)

過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，...

2025-02-17 標簽：晶體管功率器件氮化鎵 1037 0

新潔能車規(guī)級PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹

在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天，提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設(shè)計的重要方向。車規(guī)級 PDFN5*6 雙面散熱產(chǎn)品，以其優(yōu)異的散熱性能和緊湊的封...

2025-02-12 標簽：MOSFET 封裝功率器件 1748 0

華大九天Empyrean Polas工具解決功率設(shè)計難題

華大九天推出的Empyrean Polas工具，憑借其先進的3D場求解器提取算法，成功突破了傳統(tǒng)RC參數(shù)提取方法的瓶頸，特別是在處理PMIC設(shè)計中的電源...

2025-02-08 標簽：MOS管功率器件華大九天 1177 0

意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家...

2025-02-07 標簽：MOSFET 意法半導(dǎo)體功率器件 696 0

TOLL封裝功率器件的優(yōu)勢

隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來越高，器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上，而通過封裝技術(shù)升級，是提高器件散...

2025-01-23 標簽：半導(dǎo)體控制器封裝 843 0

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工業(yè)4.0

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工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
英偉達

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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
BeagleBone

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mbed

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無人機技術(shù)

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以無人駕駛來說，城市中將建造一個巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機就能隨時呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
LD3320

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OpenWrt

OpenWrt

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OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
ARM架構(gòu)

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ARM架構(gòu)過去稱作進階精簡指令集機器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。
DragonBoard 410c

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Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機處理能力，幫您實現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍牙、多媒體、3D游戲等各項功能。
OpenCL

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OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
嵌入式操作系統(tǒng)

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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標準化瀏覽器等。
Windows CE

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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
JDI

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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口。基于這些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標虛擬機的狀態(tài)，例如查看目標虛擬機上有哪些類和實例等。
NFS

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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機一樣。
麒麟960

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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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uCOS II

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米爾科技

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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
ARM公司

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ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目，是一系列軟件開源項目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項目。
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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中，負責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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OMAPL138

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OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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