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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業,最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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功率二極管是一種用于大電流、大功率、高頻率應用的半導體器件,其結構類似于普通二極管,但其材料和工藝設計均不同于普通二極管,使其具有更高的承受電壓和電流能...
功率半導體是指用于高電壓、高電流應用的半導體器件,其功能包括但不限于以下幾個方面: 開關控制:功率半導體器件常常用于開關控制電路中,通過控制其導通和截止...
功率器件及功率模塊的散熱計算,其目的是在確定的散熱條件下選擇合適的散熱器,以保證器件或模塊安全、可靠地工作。目前的電子產品主要采用貼片式封裝器件,但大功...
微波半導體器件在微波系統中能發揮各方面性能,歸納起來,即在微波功率產生及放大,控制、接收三個方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率...
目前IGBT 的電流/電壓等級已達1800A/1200V,關斷時間已經縮短到40ns,工作頻率可達40kHz,擎住現象得到改善,安全工作區(SOA)擴大...
功率器件在靜止變頻技術中的應用主要有三個方面:首先,功率器件可以用來控制電機的轉速,從而實現變頻控制;其次,功率器件可以用來控制電機的功率,從而實現節能...
功率器件的選擇要根據應用環境、工作條件和性能要求等因素進行綜合考慮。首先,要考慮功率器件的工作溫度范圍,以確定功率器件的耐溫性能。其次,要考慮功率器件的...
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態銅厚膜導電層,且具有高熱導率和低熱膨脹系數,從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設備和工藝技術水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質逐步提高,碳化硅在...
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...
功率器件的選擇應根據電路的要求,考慮功率器件的功率、電壓、電流、溫度、頻率等參數,以及功率器件的尺寸、重量、成本等因素,以確保功率器件的可靠性和性能。
值得關注的還有機械諧振抑制技術和多軸驅動一體化技術的發展。目前一些主流品牌或高檔伺服系統都已具備這種諧振抑制功能,而且均能提供四到五個不同諧振范圍的機械...
硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件,它可以提高功率器件的熱穩定性和抗拉強度,從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。
當充電樁向高壓架構發展的趨勢越來越明顯,高性能MOSFET的需求也越來越大,通過改進器件結構的超級結MOSFET應運而生了。
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料,主要應用于功率器件,可有效縮小功率器件體積,提高功率器件效率,對傳統硅材料功率器 件進行替代。
如何利用IT2800源表快速實現MOSFET器件的I-V特性測試?
MOSFET即金屬氧化物半導體場效應管,是電路設計中常用的功率開關器件,為壓控器件;其特點是用柵極電壓來控制漏極電流,具備驅動電路簡單,驅動功率小,開關...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱,由三菱電機于1997年正式推向市場,迄今已在家電、工業和汽車空調等領域獲得廣泛應用。本講座主要介紹DIPIP...
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