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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用
近年來,隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,功率器件封測設(shè)備和材料在整個產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來越重要,國內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。
功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
動態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測試系統(tǒng)分立器件 660 0
碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
功率器件被稱為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。它是電子部件和電子設(shè)備-發(fā)電機的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。 因...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...
東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn),多款應(yīng)用案例剖析
在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中,電源技術(shù)水平也在不斷提升,起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動+氮化鎵功率器件組合設(shè)計,不僅電路布局較為復(fù)雜,...
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元
功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...
隨著小信號器件概念的出現(xiàn),半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號器件及功率器件兩大類:世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)也將小信號器件定義為耗...
碳化硅,是一種無機物,化學(xué)式為SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合...
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進行替代。預(yù)計中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機快充充電器...
2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 4380 1
功率半導(dǎo)體包括兩部分:功率器件和功率IC,功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支,而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來。
2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體功率IC 4094 0
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點,被譽為第三代半導(dǎo)體,其具有更...
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