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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1816個 瀏覽：92206次 帖子：50個

      功率器件技術(shù)

      碳化硅二極管的區(qū)別和用途

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      隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升，硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來，以碳化硅(silicon carb...

      2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1263 0

      惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用

      近年來，隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率器件封測設(shè)備和材料在整個產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來越重要，國內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。

      2023-02-10 標(biāo)簽：電力電子功率器件碳化硅 837 0

      功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南

      動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用...

      2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET測試系統(tǒng)分立器件 660 0

      什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

      碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

      2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiCCMP 3524 0

      什么是功率器件，具有什么特性

      　　功率器件被稱為功率電子器件，即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。它是電子部件和電子設(shè)備-發(fā)電機的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器功率器件 7571 0

      碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

      　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

      2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 1962 0

      不同因素對IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響？

      不同因素對IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響？

      結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量，能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運行性能等。

      2023-02-07 標(biāo)簽：IGBT功率器件功率模塊 4229 0

      SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

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      1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1324 0

      SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

      1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1146 0

      SiC的物性和特征

      SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1090 0

      東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應(yīng)用案例剖析

      在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動+氮化鎵功率器件組合設(shè)計，不僅電路布局較為復(fù)雜，...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵快充芯片 2442 0

      車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷，2023年看不到供需緩解跡象

      功率器件品類眾多，其中車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 1290 0

      功率器件和分立器件的區(qū)別

      功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用...

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 7959 0

      小信號器件和功率器件又是什么？

      隨著小信號器件概念的出現(xiàn)，半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號器件及功率器件兩大類：世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）也將小信號器件定義為耗...

      2023-02-07 標(biāo)簽：分立器件功率器件額定電流 1057 0

      碳化硅的工作原理、優(yōu)點及主要用途

      　　碳化硅，是一種無機物，化學(xué)式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合...

      2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 8720 0

      什么是硅基氮化鎵？

      硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進行替代。預(yù)計中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機快充充電器...

      2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 4380 1

      什么是功率半導(dǎo)體？

      什么是功率半導(dǎo)體？

      功率半導(dǎo)體包括兩部分：功率器件和功率IC，功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支，而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來。

      2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體功率IC 4094 0

      淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面

      氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點，被譽為第三代半導(dǎo)體，其具有更...

      2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1858 0

      氮化鎵是什么晶體，氮化鎵（GaN）的重要性分析

      氮化鎵是什么晶體，氮化鎵（GaN）的重要性分析

      氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...

      2023-02-05 標(biāo)簽：led晶體功率器件 9909 0

      氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢及工作原理

      氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢及工作原理

      　　氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。

      2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 9362 0

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        +關(guān)注
        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        ARM架構(gòu)過去稱作進階精簡指令集機器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。
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        OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機上有哪些類和實例等。
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        ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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