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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

文章:1816 瀏覽:92206 帖子:50

功率器件技術(shù)

碳化硅二極管的區(qū)別和用途

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隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升,硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來,以碳化硅(silicon carb...

2023-02-10 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1263 0

惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用

近年來,隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,功率器件封測設(shè)備和材料在整個產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來越重要,國內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。

2023-02-10 標(biāo)簽:電力電子功率器件碳化硅 837 0

功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南

動態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測試系統(tǒng)分立器件 660 0

什么是碳化硅?碳化硅的拋光方法主要有哪些?

碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。

2023-02-10 標(biāo)簽:功率器件SiCCMP 3524 0

什么是功率器件,具有什么特性

  功率器件被稱為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。它是電子部件和電子設(shè)備-發(fā)電機的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...

2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器功率器件 7571 0

碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

2023-02-07 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體功率器件 1962 0

不同因素對IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響?

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結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量,能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運行性能等。

2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率模塊 4229 0

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

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1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1324 0

SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。 因...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1146 0

SiC的物性和特征

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1090 0

東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn),多款應(yīng)用案例剖析

在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中,電源技術(shù)水平也在不斷提升,起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動+氮化鎵功率器件組合設(shè)計,不僅電路布局較為復(fù)雜,...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵快充芯片 2442 0

車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象

功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元

2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT 1290 0

功率器件和分立器件的區(qū)別

功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...

2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 7959 0

小信號器件和功率器件又是什么?

隨著小信號器件概念的出現(xiàn),半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號器件及功率器件兩大類:世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)也將小信號器件定義為耗...

2023-02-07 標(biāo)簽:分立器件功率器件額定電流 1057 0

碳化硅的工作原理、優(yōu)點及主要用途

  碳化硅,是一種無機物,化學(xué)式為SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合...

2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 8720 0

什么是硅基氮化鎵?

硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進行替代。預(yù)計中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機快充充電器...

2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 4380 1

什么是功率半導(dǎo)體?

什么是功率半導(dǎo)體?

功率半導(dǎo)體包括兩部分:功率器件和功率IC,功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支,而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來。

2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體功率IC 4094 0

淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面

氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點,被譽為第三代半導(dǎo)體,其具有更...

2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 1858 0

氮化鎵是什么晶體,氮化鎵(GaN)的重要性分析

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氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...

2023-02-05 標(biāo)簽:led晶體功率器件 9909 0

氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢及工作原理

氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢及工作原理

  氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導(dǎo)體。

2023-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 9362 0

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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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    OMAP-L138是美國德州儀器(TI)推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ,這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器 (DSP) + ARM9處理器,大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度,可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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