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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業,最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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碳化硅作為寬禁帶化合物半導體材料,具有比傳統硅材料更加優異的性能,尤其是用于功率轉換和控制的功率器件。與傳統硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
碳化硅二極管的優勢 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...
硅早已是大多數電子應用中的關鍵半導體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現在已開始被多種應用采納,特別是電動汽車,以應對開發高效率和高功率器件所...
由于襯底和外延和芯片的技術發展相關性不是特別大,所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術發展比如MOSFET的平面結構或者溝槽結構都是直...
碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率等優點,可以實現高壓、大功率、高頻、高溫應用的新型功率半導體器件。該文對碳化硅功率...
在低SAE自動駕駛級別(例如,1-2級)下,通常,僅需確保系統在組件失效的情況下,進入安全狀態即可——這被稱為失效安全架構。
碳化硅市場產業鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產、碳化硅件研發和封裝測試四個部分,分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
在進行碳化硅、氮化鎵功率器件研發和特性評估、功率模塊開發和特性評估、電源設計器件選型、電源調試以及學術研究時,都需要對其驅動波形進行測試,這時大多數工程...
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體,可在更高溫度、電壓及頻率環境正常工作,同時消耗電力更少,持久性和可靠性更強,將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
在過去幾年中,半導體行業出現了新一代高功率開關,并開始商業化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望顯著降低開關損耗,并允許比目前使用純硅(Si)器件更高的...
硅功率器件已經達到了它們的材料極限,已經達到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,為汽車行業提供快速開關、高效的器件性能。然而,它們距離充分發揮...
大家好,看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅動應用的文檔,雖然比較基礎,但是概括的比較好,適合電力電子專業的初學者,總體內容如下。
近年來新能源汽車發展迅速,對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基于三相LLC變換器技術的30千瓦功率模塊單元性能更優,可以滿足現有的市場需...
電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加,并且在眾多新技術中發揮著核心作用,包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深...
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