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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

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功率器件技術

淺談電路器件功率的計算問題

適宜學習人群： 1、對電路設計感興趣的同學（含電子信息類的大學生，工程研發(fā)技術人員，電子愛好者等）； 2、只會設計電路但對原理卻感覺模糊的同...

2019-05-17 標簽：功率器件橋式電路 6191 0

技術突破：中國電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶

由圖可以看出，β-Ga2O3的主要優(yōu)勢在于禁帶寬度，但也存在著不足，主要表現(xiàn)在遷移率和導熱率低，特別是導熱性能是其主要短板。不過，相對來說，這些缺點對功...

2019-03-01 標簽：晶圓功率器件氧化鎵 7729 0

SiC MOSFET進入主流市場，功率器件新局面正式開啟

進一步提高切換頻率會導致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低，但SiC MOSFET的低切換損耗不會有此問題。透過此范例的證明，工作頻率高達72kHz...

2019-02-04 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 5133 0

開關電源14種拓撲計算公式大匯總

上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時，功率器件上的電壓、電流應力。選擇功率器件時，其電壓耐量可放一個合適的余量（保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值），電流耐量則得按器件...

2018-12-24 標簽：開關電源變換器功率器件 1.2萬 2

限流開關系統(tǒng)的原理及應用領域

當功率管電流高于限流時，電流檢測電路輸出高電平給過流保護電路（OverCurrentLimit），過流保護電路通過反饋負載電壓給電荷泵，調節(jié)電荷泵輸出，...

2018-12-08 標簽：電源開關功率器件 1.6萬 0

如何使單極性柵極驅動器提供雙極性電壓

創(chuàng)建可以緩解密勒效應寄生導通的柵極負電壓驅動器并不一定很復雜。許多現(xiàn)有的單極性工作的柵極驅動器，借助很少的外部電路就可以輕松驅動柵極負電壓。

2018-11-14 標簽：功率器件柵極驅動器 5232 0

激光雷達系統(tǒng)正在進入各種其他應用領域

隨著激光雷達的發(fā)展，相關市場也會出現(xiàn)增長。據(jù)Yole Développement預測，氮化鎵功率器件的市場將在未來五年內(nèi)實現(xiàn)79％的年復合增長率，并在2...

2018-09-21 標簽：功率器件激光雷達自動駕駛 6392 0

基于GaN的開關器件驅動是關鍵要素

輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達14V，而不考慮VDD軌電壓。同時，在高側/低側的應用中，低傳播延遲和軌到軌的時鐘傾斜對效率也是至關重要...

2018-10-19 標簽：功率器件氮化鎵 GaN 2.2萬 0

采用TL494芯片實現(xiàn)電動跑步機的開關電源設計

中國經(jīng)濟與世界的不斷接軌，使中國臺灣這個原先在電動跑步機行業(yè)一直處于壟斷的地位，慢慢地被國內(nèi)大陸的電跑廠家所削弱。據(jù)2006年、2007年成都體育產(chǎn)品博...

2019-06-24 標簽：芯片電機功率器件 7453 0

為什么反激電源設計的關鍵是反激電源變壓器？（2）

精通反激電源變壓器設計2-精通反激電源設計的關鍵---反激電源變壓器2A

2018-08-16 標簽：電源功率器件電源變壓器 6904 0

器件環(huán)境溫度與負荷特性曲線很容易被忽視的問題

另外，在電路設計中，器件的功率、電壓等參數(shù)都會降額，具體降額方法本人博客中已有其他文章專門介紹。這里補充說的是降額之后的負荷特性曲線也要隨之發(fā)生變化（如...

2018-07-31 標簽：電容功率器件 6127 0

金剛石基氮化鎵（GaN）技術的未來展望

Felix Ejeckam于2003年發(fā)明了金剛石上的GaN，以有效地從GaN晶體管中最熱的位置提取熱量。其基本理念是利用較冷的GaN放大器使系統(tǒng)更節(jié)能...

2018-07-26 標簽：功率器件 GaN 金剛石 1.6萬 0

幾種能夠實現(xiàn)快速短路保護的方法，并且通過實際測試驗證了可行性

目前有4種常用的短路檢測及保護方法，其原理示意圖如圖4所示。其中最直接的方式就是使用電流探頭或者分流電阻檢測漏極電流。業(yè)界最常用的方法是檢測飽和壓降。M...

2018-07-16 標簽：MOSFET 功率器件短路保護 2.4萬 0

SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是...

2018-07-15 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.1萬 0

什么是IEGT呢？這得從上個世紀末說起

屈興國告訴半導體行業(yè)觀察記者，東芝IEGT單管目前可以實現(xiàn)4.5KV和3KA的功率，再加上簡易的串聯(lián)實施，這些產(chǎn)品完美匹配中國柔性直流輸電、直流電網(wǎng)發(fā)展...

2018-07-11 標簽：東芝 IGBT 功率器件 8470 0

關于固態(tài)RF烹飪產(chǎn)品的最佳腔體設計方案的介紹

將固態(tài)RF功率器件用于烹飪產(chǎn)品需要考慮許多因素，比如腔體尺寸和形狀、功率饋入方式與位置、功率等級和散熱方式等。本次會議重點介紹實現(xiàn)最佳腔體的設計和仿真方法。

2018-06-28 標簽：nxp rf 功率器件 3379 0

關于固態(tài)射頻烹飪系統(tǒng)的方案介紹

固態(tài)RF功率器件可以實現(xiàn)烹飪產(chǎn)品的功率調節(jié)和高能效。這需要設計師對尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會議將介紹恩智浦推出的一款可擴展功率模塊，它可快速的集...

2018-06-28 標簽：nxp rf 功率器件 3802 0

關于功率器件中的散熱參考方案

設計功率器件中的散熱考慮

2018-06-23 標簽：intersil 功率器件 5878 0

SiC材料做成的器件又會有什么過人之處呢？

圖3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的輸出特性對...

2018-06-09 標簽：mosfet 功率器件 SiC 9890 0

搶先看！微波功率器件的基石和開拓者，新一代高效率長壽命行波管

功率行波管的發(fā)展走過了70年的歷程，具有寬頻帶、高功率、高效率等特點，是現(xiàn)代雷達通信電子戰(zhàn)等系統(tǒng)的核心元器件，并不斷地推動系統(tǒng)向高頻率、高功率、集成化、...

2018-05-25 標簽：微波功率器件行波管 4445 0

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