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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

+關(guān)注42人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

安森美封裝技術(shù)進(jìn)階,解鎖SiC性能上限

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隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng),光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)...

2024-11-14 標(biāo)簽:充電器安森美封裝技術(shù) 482 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法

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功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...

2024-11-12 標(biāo)簽:芯片功率器件功率半導(dǎo)體 1318 0

上海貝嶺功率器件在電動(dòng)輕便摩托車控制器的應(yīng)用解析

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在中國電動(dòng)兩輪車已經(jīng)成為人們?nèi)粘I钪斜夭豢缮俚慕煌üぞ摺kS著電動(dòng)自行車國家標(biāo)準(zhǔn)的不斷改進(jìn),電動(dòng)自行車向著低速、高安全性和長(zhǎng)續(xù)航里程等方向逐漸演進(jìn)。與此...

2024-11-12 標(biāo)簽:MOSFET控制器功率器件 944 0

先積產(chǎn)品在家用電器領(lǐng)域的應(yīng)用

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先積產(chǎn)品在家用電器中的應(yīng)用PRODUCTAPPLICATION據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析,2023年家電板塊整體實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng),毛利率持續(xù)提升下利潤(rùn)增速更快。2023...

2024-11-07 標(biāo)簽:傳感器家用電器功率器件 430 0

浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

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由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...

2024-11-06 標(biāo)簽:IGBTMOS功率器件 516 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

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功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...

2024-11-05 標(biāo)簽:散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 1647 0

陶瓷墊片的性能特點(diǎn)和安裝工藝

陶瓷墊片的性能特點(diǎn)和安裝工藝

陶瓷墊片 是一種高導(dǎo)熱性能的材料,主要由氧化鋁組成(氧化鋁含量高達(dá)96%以上),外觀呈純白色,質(zhì)地堅(jiān)硬,主要用于功率器件與散熱器之間的傳熱和電氣隔離。它...

2024-11-01 標(biāo)簽:三極管散熱功率器件 1097 0

軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

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三菱電機(jī)新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD-Embedded)技術(shù),可以...

2024-10-31 標(biāo)簽:MOSFET嵌入式三菱電機(jī) 1103 0

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的...

2024-10-30 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 453 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試

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氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...

2024-10-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 798 0

功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(二)——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...

2024-10-29 標(biāo)簽:熱阻功率器件SiC 686 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻

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2024-10-22 標(biāo)簽:熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 1508 0

宇宙輻射如何影響半導(dǎo)體功率器件的故障率?

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能量粒子以多種方式影響半導(dǎo)體芯片,例如存儲(chǔ)器、處理器以及模擬和電源設(shè)備。器件的故障率取決于其所暴露的輻射量,這不僅是空間應(yīng)用中至關(guān)重要的因素,在地面電源...

2024-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體輻射功率器件 595 0

SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

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汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...

2024-10-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 622 0

Microchip的SiC解決方案解析

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在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動(dòng)下,對(duì)功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴(yán)格的要求,最重要的是與實(shí)現(xiàn)更高的效率(...

2024-10-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體microchipIGBT 695 0

RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)

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因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場(chǎng)景都是感性負(fù)載,在IGBT關(guān)斷的時(shí)候,感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT不能反向?qū)ǎ枰贗GBT的兩端并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二...

2024-10-15 標(biāo)簽:二極管IGBT晶體管 2633 0

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本文小編分享一篇文章,本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用,本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用,并介紹了原子層鍍膜技...

2024-10-15 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵鍍膜 664 0

SJMOS微逆變是什么?有哪些優(yōu)點(diǎn)?

“光伏”是當(dāng)下新能源行業(yè)的熱門話題。隨著全球能源危機(jī)不斷加劇,太陽能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受到人們的關(guān)注。在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,光伏逆變器的作用不...

2024-10-15 標(biāo)簽:太陽能功率器件光伏逆變器 483 0

IGBT短路耐受時(shí)間的重要性

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IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時(shí)間(SCWT:Short Circuit Withstand Time)”的電氣特性(參數(shù))。通常,在IGBT等功...

2024-10-08 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率元器件 737 0

功率器件模塊:一種滿足EMI規(guī)范的捷徑

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由于功率模塊的設(shè)計(jì)和幾何形狀可以實(shí)現(xiàn) EMI 建模,從而使設(shè)計(jì)人員能夠在設(shè)計(jì)流程的早期預(yù)測(cè)和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。

2024-09-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體emi電磁干擾 502 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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