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功率開關器件

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功率開關器件技術

UC1705-SP系列具有 40V VDD 和輸出鎖存器的航天級 QMLV、1.5A/1.5A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UC1705 系列功率驅(qū)動器采用高速肖特基工藝制成，用于連接低級控制功能和高功率開關器件，尤其是功率 MOSFET。這些器件也是電容式線路驅(qū)動器的最佳選...

2025-05-22 標簽：MOSFET 鎖存器柵極驅(qū)動器 152 0

TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT：感應加熱和軟開關領域新標桿

在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關器件，廣泛應用于各類電力轉(zhuǎn)換設備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N1...

2025-03-13 標簽：IGBT 晶體管功率開關器件 620 0

GD3162柵極驅(qū)動器技術解析：提供動態(tài)柵極強度控制，提升EV牽引逆變器性能

作為汽車電動牽引逆變器柵極驅(qū)動器的領先供應商之一，恩智浦不斷推動逆變器效率、功能安全和汽車性能的提升。恩智浦發(fā)布的GD3162具有動態(tài)柵極驅(qū)動功能，能夠...

2024-12-06 標簽：恩智浦 Ev 柵極驅(qū)動器 2116 0

移相全橋不能做大功率的原因

移相全橋是一種廣泛應用于電力電子領域的功率轉(zhuǎn)換器，具有高效率、高功率密度和良好的電磁兼容性等優(yōu)點。然而，移相全橋在大功率應用中存在一些局限性，限制了其在...

2024-07-16 標簽：大功率電力電子移相全橋 1255 0

mos管的選型主要考慮哪些因素

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子電路中的功率開關器件。選型時需要考慮多種因素，以確保MOSFET的性能滿足特定應用的需求...

2024-07-11 標簽：MOS管場效應晶體管電子電路 1569 0

單相全橋逆變電路移相調(diào)壓方式的工作原理? 單相全橋逆變器的模式

單相全橋逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設備，廣泛應用于各種電力系統(tǒng)和電力設備中。在單相全橋逆變電路中，移相調(diào)壓方式是一種常用的控制方式...

2024-07-08 標簽：電子設備電力設備功率開關器件 6510 0

逆變電路有哪些類型?其最基本的應用領域有哪些

逆變電路是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子電路。它廣泛應用于各種領域，如電力系統(tǒng)、通信、工業(yè)控制、家用電器等。本文將介紹逆變電路的類型及其應用領域。一、...

2024-07-05 標簽：逆變電路電子電路直流電 2987 0

igbt啟動最低電壓多少伏正常

IGBT（Insulated-gate bipolar transistor）是一種高性能功率開關器件，廣泛應用于電力變換和控制領域。它是一種結(jié)合了易于...

2024-03-12 標簽：電壓 IGBT 集電極 4547 0

逆變電路中的功率開關器件介紹

逆變電路中的功率開關器件是實現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關鍵元件，其主要作用是在控制信號的作用下，將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中，功率開關器...

2023-12-30 標簽：半導體逆變電路功率開關器件 2741 0

igbt與igct的區(qū)別

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和IGCT（Integrated Gate Commutated Thyr...

2023-12-25 標簽：晶閘管 IGBT 電力電子 4149 0

晶閘管應用電路分析

晶閘管作為一種功率開關器件，因其與繼電器相比有無觸點、使用壽命長的優(yōu)點，常替代繼電器用于大功率電路控制中

2023-03-13 標簽：三極管二極管晶閘管 2288 0

簡單分析一下五段式SVPWM和七段式SVPWM的不同點

SVPWM的實現(xiàn)在前期的文章中已經(jīng)詳細地介紹過了，這里就不再闡述。現(xiàn)在主要說說五段式SVPWM和七段式SVPWM的實現(xiàn)的區(qū)別。

2023-03-07 標簽：dsp SVPWM 仿真系統(tǒng) 1.5萬 0

雙脈沖測試之開關特性參數(shù)講解

功率開關器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù)，如靜態(tài)特性參數(shù)，動態(tài)特性參數(shù)，開關特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過靜態(tài)參數(shù)一體化測試機或者源表等設...

2023-02-22 標簽：二極管參數(shù)脈沖測試 7716 0

SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭頭部的安裝位置

關鍵要點?除了測量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi)，就會受到磁通量變化的影響，而體現(xiàn)在觀測波形上。

2023-02-09 標簽：電流 MOSFET 探頭 649 0

5分鐘帶你全面了解功率開關器件雙脈沖測試

雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關器件動態(tài)特性的常用測試，通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的...

2022-11-04 標簽：MOSFET 脈沖測試功率開關器件 4861 0

使用功率開關器件如何選擇驅(qū)動芯片

使用功率開關器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動芯片的經(jīng)歷。面對標稱各種電流能力的驅(qū)動產(chǎn)品時，往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下，總希望選擇一個剛好夠...

2022-04-28 標簽：電阻驅(qū)動芯片功率開關器件 2962 0

PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器功率開關器件的對偶

半導體開關器件是有極性的，因此在用開通與關斷互為對偶這一基本原則，以決定開關管或開關二極管的對偶器件時，要注意它們的極性。當然，二極管的對偶器件還是二極...

2014-07-31 標簽：DC/DC PWM 功率開關器件 2039 0

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