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標(biāo)簽 > 功率開關(guān)
功率開關(guān),它在通過(guò)絕緣氣體充滿的殼體中具有至少一個(gè)沿著縱軸線延伸的且基本徑向?qū)ΨQ安裝的、包括至少兩個(gè)功率觸點(diǎn)和一個(gè)配屬于功率觸點(diǎn)的電弧室的滅弧室,其中所述電弧室與至少一個(gè)具有排氣容積的排氣裝置處于功能連接,該排氣裝置用于冷卻在斷開時(shí)產(chǎn)生的熱氣,并且排氣裝置與滅弧室容積連接。
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這里介紹的手摸式自動(dòng)出水龍頭,與普通水龍頭比較,具有使用方便、靈敏、衛(wèi)生、可靠的優(yōu)點(diǎn),缺點(diǎn)是水量大小不能控制。由于該開關(guān)是完全密封的,因此在北方的冬季可...
2019-02-07 標(biāo)簽:功率開關(guān)電磁閥觸摸 7764 0
GaN功率開關(guān)、組件及對(duì)EMI產(chǎn)生造成怎樣的影響
為了評(píng)估這些GaN組件,Sandler安排我來(lái)測(cè)試一些評(píng)估板。一塊我選擇測(cè)試的是Efficient Power Conversion的半橋(Half-...
2018-10-07 標(biāo)簽:emi功率開關(guān)gan 4521 0
SiC/GaN功率開關(guān)完整的系統(tǒng)解決方案
驅(qū)動(dòng) SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計(jì)一個(gè)完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),這些 IC 經(jīng)過(guò)精密調(diào)整,彼此配合。于是這里的設(shè)計(jì)重點(diǎn)不再只是以開關(guān)為中心……
2018-06-22 標(biāo)簽:功率開關(guān)SiCGaN 5586 0
采用東芝DTMOSIV超級(jí)結(jié)MOSFET來(lái)解決這些問(wèn)題
功率開關(guān)應(yīng)用電路的基本元件主要有MOSFET和快速恢復(fù)二極管。MOSFET和恢復(fù)二極管對(duì)于采用全橋或零電壓開關(guān)/相移拓?fù)涞碾娦藕头?wù)器電源、全橋電機(jī)控制...
2018-04-08 標(biāo)簽:MOSFET東芝功率開關(guān) 5161 0
關(guān)于器件性能,我最常被問(wèn)到的問(wèn)題就是“它們究竟有多快?”通常我會(huì)回答是:它們非常快,但實(shí)際上我并不知道具體有多快。為探明真相,我使用33GHz實(shí)時(shí)示波器...
2018-03-30 標(biāo)簽:功率開關(guān) 1654 0
意法半導(dǎo)體推出最新高溫硅功率開關(guān)用于提高摩托車和工業(yè)設(shè)備的可靠性
新品登場(chǎng)
2017-09-20 標(biāo)簽:功率開關(guān)意法半導(dǎo)體 7495 0
五大開關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
開關(guān)電源的EMI干擾源集中體現(xiàn)在功率開關(guān)管、整流二極管、高頻變壓器等,外部環(huán)境對(duì)開關(guān)電源的干擾主要來(lái)自電網(wǎng)的抖動(dòng)、雷擊、外界輻射等。
2017-07-18 標(biāo)簽:開關(guān)電源EMI功率開關(guān) 3594 1
MAX15066高效、4A、降壓型DC-DC調(diào)節(jié)器,內(nèi)置功率開關(guān)
MAX15066電流模式、同步整流、降壓型DC-DC調(diào)節(jié)器能夠以極高的效率提供高達(dá)4A輸出電流。MAX15066工作在4.5V至16V輸入電壓,可調(diào)輸出...
2013-05-16 標(biāo)簽:功率開關(guān)DC-DC調(diào)節(jié)器MAX15066 2700 0
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