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功率晶體管

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功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。

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功率晶體管技術(shù)

基于BLY88C的15W FM發(fā)射機(jī)電路

這是發(fā)射功率輸出高達(dá)15W的遠(yuǎn)程FM發(fā)射器。這款15W調(diào)頻發(fā)射器使用功率晶體管BLY88C作為主發(fā)射放大器。

2022-06-09 標(biāo)簽：發(fā)射器調(diào)頻發(fā)射器功率晶體管 3068 0

400W RMS立體聲功率放大器電路

這是使用功率晶體管工作的400W RMS立體聲功放的示意圖。這款放大器除了提供良好的聲功率外，還具有出色的質(zhì)量和低噪音的高保真度，要獲得 400 瓦，我...

2022-06-06 標(biāo)簽：放大器電路功率晶體管立體聲功放 4744 0

70W OCL功率放大器的電路圖

這是70W OCL功率放大器的電路圖，輸出功率為70瓦單聲道。它以功率晶體管TIP2955和TIP3055為主要元件。該放大器使用的電源是對稱/雙極性電...

2022-05-27 標(biāo)簽：功率放大器 OCL 功率晶體管 4409 0

分享一個18W音頻放大器的電路圖

這是18W音頻放大器的電路圖。該電路非常簡單且構(gòu)建成本低廉。它使用一對功率晶體管TIP41A和TIP42A進(jìn)行單通道操作。

2022-05-26 標(biāo)簽：電路圖音頻放大器功率晶體管 2882 0

GaN功率晶體管的動態(tài)導(dǎo)通電阻測量技術(shù)的挑戰(zhàn)和方法

動態(tài)導(dǎo)通電阻對于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。然而，許多工程師都在努力評估動態(tài) RDS(ON)，因為很難以足夠的分辨率對其進(jìn)行一致測量。...

2021-10-27 標(biāo)簽：電阻晶體管測量 7577 0

碳化硅功率晶體的設(shè)計發(fā)展及驅(qū)動電壓限制

在硅材料的高壓超級結(jié)功率晶體中，磊晶層的通態(tài)電阻占總通態(tài)電阻的90%以上。

2021-10-25 標(biāo)簽：碳化硅功率晶體管 1403 0

關(guān)于碳化硅功率模塊建模

由于帶隙較大（2 MV/cm 對 0.5 MV/cm），SiC 中通過碰撞電離產(chǎn)生帶間電子空穴所需的能量比 Si 高得多。

2021-10-07 標(biāo)簽：MOSFET 功率晶體管 1101 0

淺談快速恢復(fù)外延二極管 (FRED) 特性

快速恢復(fù)外延二極管 (FRED) 特性 – 應(yīng)用 – 示例在過去的 10 年中，電源拓?fù)浒l(fā)生了根本性的變化。現(xiàn)在構(gòu)建了各種電源，不再需要笨重的 50/...

2021-06-14 標(biāo)簽：二極管 PWM FRED 6834 0

SiCMOSFET如何實(shí)現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗

人們普遍認(rèn)為，SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非常快的開關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實(shí)際...

2021-01-27 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體功率晶體管 3783 0

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器損耗的探討

PIC是電源用IC（在這里為功率晶體管外置同步整流降壓轉(zhuǎn)換器用控制器IC）的電源電流。基本上是IC本身消耗的電流，是自身消耗電流。

2020-04-05 標(biāo)簽：PIC 降壓轉(zhuǎn)換器功率晶體管 2303 0

關(guān)于RS232、TTL電平轉(zhuǎn)換集成電路的簡單介紹

許多單片機(jī)的應(yīng)用中都會使用到串行口與電腦的串行口相連接，進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳輸或控制命令的發(fā)送與接收。單片機(jī)的串口有很大一部分是使用電平標(biāo)準(zhǔn)的（PIC的可以直接...

2018-05-09 標(biāo)簽：ttl 功率晶體管電平轉(zhuǎn)換電路 2.0萬 0

檢驗RF功率晶體管耐用性測試方案

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率...

2019-03-18 標(biāo)簽：RF 功率晶體管 1537 0

EPC增強(qiáng)型GaN-on-Silicon功率晶體管：EPC2045

低壓氮化鎵（GaN）器件市場越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應(yīng)商。

2017-10-18 標(biāo)簽：功率晶體管 1.2萬 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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