標(biāo)簽 > 功率mosfet
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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
用于四頻 GSM / GPRS / ED Tx-Rx iPAC FEM 雙頻 GS Tx-Rx iPAC? FEM 雙頻 G 用于 LTE / EUTRAN 頻段 V 用于 LTE / EUTRAN 頻段 V WCDMA / HSDPA / HSUP 前端模塊 WCDMA/HSDPA 前端模塊 WCDMA/HSDPA/HSU 用于 LTE / EUTRAN 頻段 I Tx-Rx iPAC FEM 四頻 GS 用于四頻 GSM / GPRS 的 Tx 用于 GSM / GPRS(824–91
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