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半導(dǎo)體技術(shù)

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半導(dǎo)體技術(shù)是指半導(dǎo)體加工的各種技術(shù)，包括晶圓的生長技術(shù)、薄膜沉積、光刻、蝕刻、摻雜技術(shù)和工藝整合等技術(shù)。

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半導(dǎo)體技術(shù)技術(shù)

利用硅半導(dǎo)體技術(shù)同時實(shí)現(xiàn)了小型化和高性能的ROHM首款硅電容器

市場發(fā)展趨勢和開發(fā)歷程近年來，隨著智能手機(jī)等設(shè)備的功能增加和性能提升，對小型、薄型且支持高密度安裝的電容器的需求日益增加。特別是采用薄膜半導(dǎo)體技術(shù)的硅...

2024-08-09 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體技術(shù)Rohm 1.6萬 1

如何判斷cmos有無燒壞

CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）是一種廣泛應(yīng)用于集成電路制造的半導(dǎo)體技術(shù)。CMOS電路具有低功耗、高集成度和良好的擴(kuò)展性等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、通信...

2024-07-30 標(biāo)簽：CMOS 計算機(jī)半導(dǎo)體技術(shù) 1804 0

GD300HFL120C2S是高頻模塊嗎

GD300HFL120C2S 是一種高頻模塊，通常用于射頻放大器、射頻功率放大器、射頻信號發(fā)生器等應(yīng)用。以下是關(guān)于 GD300HFL120C2S 高頻模...

2024-07-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)信號發(fā)生器射頻放大器 577 0

CMOS集成電路的定義及特點(diǎn)？CMOS集成電路的保護(hù)措施有哪些？

CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）集成電路是一種廣泛使用的半導(dǎo)體技術(shù)，用于構(gòu)建各種電子電路和集成電路。

2024-05-28 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 半導(dǎo)體技術(shù) 2445 0

小米氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

小米氮化鎵充電器是一種新型充電器，它與傳統(tǒng)的普通充電器在多個方面有所不同。在這篇文章中將詳細(xì)討論小米氮化鎵充電器與普通充電器之間的區(qū)別。首先，小米氮化...

2024-01-10 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 5639 0

氮化鎵技術(shù)的用處是什么

氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用...

2024-01-09 標(biāo)簽：功率放大器電子設(shè)備半導(dǎo)體技術(shù) 2111 0

SiC外延層的缺陷控制研究

探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。

2024-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)SiC 2251 0

英飛凌提供各式完整電動/園林應(yīng)用方案

總體而言，該行業(yè)重視研發(fā)，以確保電動工具用戶 – 無論是在建筑工地上還是私人住宅中 – 都能獲得安全、符合人體工程學(xué)的節(jié)能產(chǎn)品。電動工具如果使用不正確可...

2023-09-07 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體技術(shù)電動工具 464 0

金在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到我們生活的方方面面，從手機(jī)、電腦到各種高精尖的工業(yè)設(shè)備中。而在這些技術(shù)背后，金作為一種貴金屬，以其獨(dú)特的物理和化...

2023-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)CMP 2025 0

銅在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會已成為高科技產(chǎn)品的核心，而在半導(dǎo)體制造的各個環(huán)節(jié)中，銅憑借其出色的性能特點(diǎn)，已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，銅主要被用...

2023-08-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù) 2591 0

三星半導(dǎo)體宣布突破背面供電技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)的許多進(jìn)步都取決于減小封裝尺寸，同時結(jié)合附加功能和更高效的供電方法。目前的供電方法會占用晶圓上的大量空間，導(dǎo)致成本增加、芯片尺寸增大和晶體管減少。

2023-08-16 標(biāo)簽：處理器半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 945 0

氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標(biāo)簽：探測器半導(dǎo)體技術(shù)肖特基二極管 1043 0

***和半導(dǎo)體有什么關(guān)系

IRDS路線圖光刻委員會主席、廈門大學(xué)嘉庚創(chuàng)新實(shí)驗室產(chǎn)業(yè)運(yùn)營平臺科技總監(jiān)，廈門大學(xué)半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院客座教授Mark Neisser對光刻技術(shù)與半導(dǎo)體...

2023-07-24 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)照明系統(tǒng) 1310 0

金剛石基GaN問世化合物半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入第三波材料技術(shù)浪潮

材料往往因特定優(yōu)勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導(dǎo)率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗...

2023-07-19 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 825 0

半導(dǎo)體切割-研磨-拋光工藝簡介

SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內(nèi)圓和外圓兩種。由于SiC價格高，外圓、內(nèi)圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產(chǎn)效率低，加大了襯底的成本。

2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)SiC CMP 3825 0

一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計方案

通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。

2023-04-26 標(biāo)簽：pcb 半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 1760 0

伺服驅(qū)動技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及開發(fā)趨勢

值得關(guān)注的還有機(jī)械諧振抑制技術(shù)和多軸驅(qū)動一體化技術(shù)的發(fā)展。目前一些主流品牌或高檔伺服系統(tǒng)都已具備這種諧振抑制功能，而且均能提供四到五個不同諧振范圍的機(jī)械...

2023-02-15 標(biāo)簽：控制器半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 3093 0

硅基氮化鎵是做什么用？

在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）...

2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基 813 0

《拒絕內(nèi)卷，伏達(dá)重新定義功率“觸頂”趨勢下的充電半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)路線圖》

與無線快充國家強(qiáng)制功率限制不同，有線快充目前還在繼續(xù)各家“自由發(fā)揮”，去年媒體定義的“30瓦入門、40瓦標(biāo)配、60瓦旗艦”已經(jīng)開始不太適合當(dāng)下，80...

2021-08-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)服務(wù)器無線充電 1178 0

利用噪聲頻譜密度評估軟件定義系統(tǒng)中的ADC

現(xiàn)在考慮一個簡單情況來比較SNR和NSD，如圖1所示。假設(shè)ADC時鐘頻率為75 MHz。對輸出數(shù)據(jù)運(yùn)行快速傅里葉變換（FFT），圖中顯示的頻譜為從直流到...

2020-12-30 標(biāo)簽：濾波器 adc 半導(dǎo)體技術(shù) 4244 0

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