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導通電阻

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　　導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比，是二極管的重要參數。

文章：151個瀏覽：20214次帖子：3個

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導通電阻技術

SiC-MOSFET與IGBT的區別是什么

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MOS管導通損耗的計算方法

MOS 管計算導通損耗時，應該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？

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羅姆第4代SiC MOSFET在電動汽車電控系統中的應用及其優勢

羅姆于2020年完成開發的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現業內超低導通電阻的產品。

2022-03-09 標簽：MOSFET 導通電阻 emc 3501 0

春風極核AE8電機控制器拆解分析

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2023-10-07 標簽：MOSFET 導通電阻 MOS 3408 0

Mos開關原理 Mos損壞主要原因

Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內阻，就是導通電阻。

2023-02-07 標簽：導通電阻 MOS 3184 0

MOS管的損耗與哪些因素

MOS管的損耗是一個復雜而重要的議題，它涉及到多個因素，包括MOS管本身的物理特性、電路設計、工作條件以及外部環境等。

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芯片導通電阻是什么？如何用ATECLOUD-IC測試系統測試？

導通電阻測試就是用來檢測導線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個導體間在一定電壓下通過的電流所引起的電壓降之比，通俗的說就是導線通電后的電阻值。芯片引...

2023-09-28 標簽：導通電阻測試系統芯片測試 2690 0

MOSFET及MOSFET驅動電路案例分析

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的...

2020-07-13 標簽：MOSFET MOS管導通電阻 2684 0

Buck基礎拓撲電路的工作原理分析

同步整流是采用極低導通電阻的的MOSFET來取代二極管以降低損耗的技術，大大提高了DCDC的效率。物理特性的極限使二極管的正向電壓難以低于0.3V...

2023-11-09 標簽：二極管 MOSFET 導通電阻 2431 0

如何給電路選擇最合適的MOS產品？選擇MOS管時需考慮的關鍵要素

MOS作為一種非常常見的分立器件，它具有開關、放大、調壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子，通常，MOS管損耗比三極管小,導通后壓降理論上為0。

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SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

首先，計算開通和關斷時間內消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...

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基于AW329XX系列OVP的應用設計方案

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ADC中采樣開關引起的誤差的兩種因素分析

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閾值電壓對傳播延遲和躍遷延遲的影響

如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關于NMOS的。您也可以為PMOS導出類似的公式(只需...

2023-09-07 標簽：NMOS 導通電阻 PMOS 1757 0

基于仿真工具對100VN TrenchMOSFET器件設計研究

溝槽（Trench）MOSFET 是一種新型垂直結構的 MOSFET 器件，是從傳統平面 MOSFET 結構基礎上優化發展而來，Trench MOSFE...

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摘要：CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術，具有出色的Qg*Ro...

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