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標(biāo)簽 > 開(kāi)關(guān)器件
單控開(kāi)關(guān)作為開(kāi)關(guān)器件的其中一種,它是一個(gè)開(kāi)關(guān)控制一個(gè)系統(tǒng),比如我們家里常見(jiàn)的控制電燈的開(kāi)關(guān)就是所說(shuō)的單控開(kāi)關(guān),單控開(kāi)關(guān)的好處就是比較穩(wěn)定,好用,適用于大多數(shù)常用電器。再一個(gè)就是雙控開(kāi)關(guān),雙控開(kāi)關(guān)和單控開(kāi)關(guān)原理比較相似。
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在功率逆變器應(yīng)用中使用WBG半導(dǎo)體時(shí)選擇柵極電阻器的注意事項(xiàng)
在典型的電路功能中,您使用高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) MOSFET 作為開(kāi)關(guān)器件來(lái)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載。當(dāng)關(guān)閉 HS 和 LS 開(kāi)關(guān)時(shí),電流從電源 V ...
2023-08-07 標(biāo)簽:電感器逆變器開(kāi)關(guān)器件 710 0
pcb設(shè)計(jì)如何減少接地反彈問(wèn)題?
輸出和接地之間的電位差異電流從輸出通過(guò)下部MOS向下移動(dòng)到接地。電感利用存儲(chǔ)磁場(chǎng)中的能量在 ΔVO和 ΔVB之間建立電勢(shì)差,試圖抵抗磁場(chǎng)的變化。
盡管開(kāi)關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源,開(kāi)通時(shí)可以等效為電壓控制的...
2025-05-21 標(biāo)簽:模塊IGBT開(kāi)關(guān)器件 513 0
浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機(jī)制與防護(hù)
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)器件,其長(zhǎng)期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運(yùn)行安全。在諸多應(yīng)力因素中,高柵極電壓(Vge)與工作...
2025-07-15 標(biāo)簽:電壓IGBT開(kāi)關(guān)器件 450 0
UC1710系列 具有 5V UVLO 和分離地的 6A/6A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC1710 系列 FET 驅(qū)動(dòng)器采用高速肖特基工藝制成,用于連接低級(jí)控制功能和非常高功率的開(kāi)關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET\x92s。這些器件接受低...
2025-05-22 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝UVLO 352 0
破解MOS管高頻振蕩困局:從米勒平臺(tái)抑制到低柵漏電容器件選型
MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)的本質(zhì)在柵極(G)電壓對(duì)漏極(D)與源極(S)間導(dǎo)電溝道的精準(zhǔn)控制,作為開(kāi)關(guān)器件成為電子應(yīng)用的核心。原理是當(dāng)柵源電壓(Vgs)超過(guò)閾...
2025-06-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管開(kāi)關(guān)器件 275 0
UC3710系列 具有 5V UVLO、熱關(guān)斷和分離接地的 6A/6A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC1710 系列 FET 驅(qū)動(dòng)器采用高速肖特基工藝制成,用于連接低級(jí)控制功能和非常高功率的開(kāi)關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET\x92s。這些器件接受低...
UC2710系列 具有 5V UVLO、分離接地和 6A 峰值輸出電流的 6A/6A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC1710 系列 FET 驅(qū)動(dòng)器采用高速肖特基工藝制成,用于連接低級(jí)控制功能和非常高功率的開(kāi)關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET\x92s。這些器件接受低...
2025-05-22 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電源電壓FET 263 0
UC1708-SP系列 具有 35V VDD 的耐輻射 QMLV、3A/3A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC1708 系列功率驅(qū)動(dòng)器采用高速、高電壓肖特基工藝制成,用于連接控制功能和高功率開(kāi)關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET。這些器件在 5 V 至 35 V...
2025-05-22 標(biāo)簽:TTL輸入電壓開(kāi)關(guān)器件 222 0
Analog Devices Inc. ADRF5347 1.8GHz至3.8GHz硅SP4T開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. ADRF5347 1.8GHz至3.8GHz硅SP4T開(kāi)關(guān)采用硅工藝精密加工而成。Analog Devices ...
2025-06-12 標(biāo)簽:SP4TAnalog開(kāi)關(guān)器件 215 0
Texas Instruments TMUX7612 4通道精密多路復(fù)用器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments TMUX7612 4通道精密多路復(fù)用器是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開(kāi)關(guān)器件,具有四個(gè)可獨(dú)立選擇的1:1單刀單擲...
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