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柵極晶體管

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柵極晶體管技術

2納米芯片的背面供電技術分析

在英特爾簡化的工藝流程中（見圖 5），該工藝首先制造出鰭式場效應晶體管（finFET）或全柵極晶體管，然后蝕刻納米硅片并填充鎢或其他低電阻金屬。

2024-02-28 標簽：CMOS 英特爾直流電阻 1069 0

FinFET的效用已趨于極限淺談晶體管縮放的難題

作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節點的首次商業化為晶體管——芯片“大腦”內的微型開關——制造帶來了顛覆性變革。與此前...

2021-01-25 標簽：晶體管 FinFET 柵極晶體管 3462 0

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