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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層,為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路,縮小并制作在極...
氮化鎵(GaN)技術(shù)如今在電力電子行業(yè)風(fēng)靡一時(shí),這種寬禁帶半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的效率和功率密度,因此能夠減小電源的體積,并且降低其工作溫度,該性能優(yōu)勢(shì)正...
僅從物理特性來看,氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)(與硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是50...
2023-02-10 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體 2353 0
多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件
四款新型多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻(RF)解決方案范圍,適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體,用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長(zhǎng)氮化鋁鎵(AlGaN)薄層并在界面施加應(yīng)力,從而產(chǎn)生二維電子氣(...
在這種情況下,氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而,目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術(shù)相比,氮化鎵生...
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)...
2023-02-10 標(biāo)簽:無線通信氮化鎵半導(dǎo)體制造 2238 0
在過去幾年中,氮化鎵(GaN)在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力,適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比,氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙(WBG)...
2023-02-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基 940 0
材質(zhì)上比普通的快充更加的高級(jí),氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料,功率密度更大,體積小,充電速度快,這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢(shì)。
氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參...
今天看到一家剛成立3年,專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片,同時(shí)提供包含GaN on Silicon、...
氮化鎵半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步,使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 759 0
法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
基于準(zhǔn)垂直型氮化鎵肖特基二極管的高功率微波限幅器
伴隨著5G通信時(shí)代的到來,數(shù)據(jù)的無線傳輸速率逐漸提高,同時(shí)也對(duì)射頻通信器件的功率和頻率范圍等提出了新的需求。微波限幅器已廣泛用于各種無線通信系統(tǒng)的射頻前...
一個(gè)器件的成本效益,從生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施開始計(jì)算。宜普公司的工藝技術(shù),基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 (Aluminum Nitride/...
氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計(jì)的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它...
基于GaN的轉(zhuǎn)換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度,最高效率為 96.8%,最低 94.5%。此外,隨著開關(guān)頻率和死區(qū)時(shí)間的增加,基于硅的轉(zhuǎn)...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 628 0
東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn),多款應(yīng)用案例剖析
在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷拓展的過程中,電源技術(shù)水平也在不斷提升,起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動(dòng)+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì),不僅電路布局較為復(fù)雜,...
氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體, 氮化鎵主要還是用于LED(發(fā)光二極管),微...
氮化鎵外延片指采用外延方法,使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來,在國(guó)家政策支持下,我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
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