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標(biāo)簽 > 熱設(shè)計
熱設(shè)計是隨著通訊和信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而出現(xiàn)的一個較新的行業(yè),在通訊、安防、PC、汽車、LED以及逆變器等行業(yè)中越來越被重視,成為產(chǎn)品研發(fā)中不可缺少的重要領(lǐng)域。熱設(shè)計一般由前期的仿真和后期的測試驗證來完成。當(dāng)前的主流的仿真軟件有Flotherm, Icepak,F(xiàn)loEFD, 6SigmaET等
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Simcenter Flotherm BCI-ROM技術(shù):與邊界條件無關(guān)的降階模型可加速電子熱設(shè)計
優(yōu)勢比解算完整的3D詳細模型快40,000倍與完整的3D詳細模型相比,沒有有效精度損失適用于所有熱環(huán)境–用戶定義傳熱系數(shù)范圍可以在很長的持續(xù)時間內(nèi)進行瞬...
氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設(shè)計出體積更小,成本更低,效率更高的電源系統(tǒng),從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PD...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計 641 0
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
樣品活動進行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計...
福祿克紅外熱像儀在PCBA熱設(shè)計的應(yīng)用案例
在印刷電路板組裝(PCBA)的設(shè)計和制造過程中,熱管理一直是確保產(chǎn)品性能和可靠性的關(guān)鍵因素。隨著電路密度的增加和功率的提升,發(fā)熱問題變得愈發(fā)嚴峻,在熱設(shè)...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴散
樣品活動進行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計...
2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件測量功率半導(dǎo)體 1110 0
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
2024-11-19 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計 691 0
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-12 標(biāo)簽:芯片功率器件功率半導(dǎo)體 1479 0
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-05 標(biāo)簽:散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 1754 0
功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)(二)——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-10-22 標(biāo)簽:熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 1598 0
一.熱設(shè)計的重要性電源產(chǎn)品電子設(shè)備在工作期間所消耗的電能,除了有用功外,大部分轉(zhuǎn)化成熱量散發(fā)。電子設(shè)備產(chǎn)生的熱量,使內(nèi)部溫度迅速上升,如果不及時將該熱量...
熱設(shè)計專注于電子設(shè)備、系統(tǒng)和結(jié)構(gòu)在熱環(huán)境下的性能。它涉及對產(chǎn)品或系統(tǒng)的熱效應(yīng)進行分析、預(yù)測和控制,確保它們在安全和有效的溫度范圍內(nèi)運行。熱設(shè)計對于保障電...
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