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電容充放電

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電容充放電技術(shù)

一文講解RC電路的特點(diǎn)、連接方式及其功能

RC電路是一種常見的電子電路，由一個電阻（R）和一個電容（C）組成。

2023-12-31 標(biāo)簽：輸出電壓積分電路 RC電路 2.9萬 0

電容的充放電

引言：電容的充放電過程我們需要著重了解，此過程在電源方面的計算非常有用，包括一些電路設(shè)計屬性，延時電路等等。

2023-06-16 標(biāo)簽：電容器電感器交流電源 2.9萬 0

如何選取電源中的電容？電容充放電時間如何計算呢？

L、C元件稱為“慣性元件”，即電感中的電流、電容器兩端的電壓，都有一定的“電慣性”，不能突然變化。

2024-05-21 標(biāo)簽：整流二極管電源電壓電解電容 2.5萬 0

芯片功耗組成—internal power與總功耗的理解

靜態(tài)功耗（漏電功耗）是指芯片待機(jī)狀態(tài)下所產(chǎn)生的的功率消耗，來源于MOS管內(nèi)部的泄漏電流；泄漏電流有多個組成部分

2023-12-01 標(biāo)簽：MOS管反相器靜態(tài)功耗 2.0萬 0

555定時器如何工作？555定時器基本電路分析

對于接觸過數(shù)字電路或模擬電路的人來說，**555 IC**絕對是經(jīng)典之作。以其低成本和可靠的性能被廣泛應(yīng)用于各種電器，包括儀器儀表、家用電器、電動玩具、...

2023-09-26 標(biāo)簽：電源電壓觸發(fā)器多諧振蕩器 1.8萬 0

電容的基礎(chǔ)知識-作用、參數(shù)和類型

作為三大基礎(chǔ)電子元件（電阻、電容和電感）之一，在實(shí)際應(yīng)用中幾乎找不到不含有電容的電路板。

2023-10-25 標(biāo)簽：電容器濾波電容 Layout 1.3萬 0

電機(jī)驅(qū)動之PWM互補(bǔ)輸出死區(qū)時間設(shè)定

Q1和Q2兩MOS管組成了一個橋臂，兩個管子不能同時導(dǎo)通。

2023-07-21 標(biāo)簽：示波器 MOS管電機(jī)驅(qū)動 1.2萬 0

模擬信號到數(shù)字信號的轉(zhuǎn)換過程

模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADCs)將一個模擬電壓信號轉(zhuǎn)換至一個二進(jìn)制數(shù)字（一系列的1和0）, 最終將其轉(zhuǎn)換至一個數(shù)值（十進(jìn)制數(shù)），以用來在儀表，監(jiān)視器或者圖表...

2023-07-07 標(biāo)簽：比較器數(shù)字濾波器 ADC轉(zhuǎn)換器 1.1萬 0

電容充放電過程中電壓的變化規(guī)律

電容充放電過程中電壓的變化規(guī)律是一個非常重要的電子學(xué)課題，涉及到電容器的基本工作原理和特性。在這篇文章中，我們將詳細(xì)探討電容充放電過程中電壓的變化規(guī)律，...

2024-07-11 標(biāo)簽：電容器電壓導(dǎo)體 1.0萬 0

法拉電容如何正確充電和放電保護(hù)？

法拉電容與超級電容類似，也是一種高電荷存儲能力強(qiáng)大的電子元件，充放電速度快、高功率密度、使用壽命長、運(yùn)行穩(wěn)定。

2023-08-28 標(biāo)簽：電容器超級電容器法拉電容 9923 0

介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)

柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時也稱為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd ...

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET 示波器 MOS管 9809 0

淺析倍壓整流電路的工作原理、分類及其應(yīng)用

倍壓整流電路是一種常見的電子電路，主要用于將輸入的低壓交流信號轉(zhuǎn)換為高壓直流信號。這種電路在許多應(yīng)用中都有廣泛的用途，如電源適配器、充電器、電壓倍增器等。

2024-02-17 標(biāo)簽：電動機(jī)LED驅(qū)動電源適配器 9141 0

電容的應(yīng)用之阻容降壓電路知識詳解

在電子電路中，電容是一種非常重要的元件，它可以用來儲存電荷、濾波、耦合等。其中，阻容降壓電路是電容應(yīng)用的一個重要方面，它利用電容的充放電特性來實(shí)現(xiàn)對電壓的降低。

2024-02-17 標(biāo)簽：穩(wěn)壓管浪涌保護(hù)阻容降壓 8869 0

淺析CMOS電路的靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗

CMOS電路功耗主要由動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗組成，動態(tài)功耗又分為開關(guān)功耗、短路功耗兩部分

2024-04-01 標(biāo)簽：NMOS 靜態(tài)功耗 CMOS電路 8471 0

半波整流和全波整流后加電容的效果

首先是半波整流，在整流后加電容試試。可以發(fā)現(xiàn)并沒有達(dá)到預(yù)想的目的。是不是電容的容量不夠大。那么可以再試試。

2022-12-04 標(biāo)簽：全波整流半波整流電容充放電 7919 0

ADC外部RC電路電阻和電容選取計算方法

ADC是從模擬到數(shù)字世界的橋梁，當(dāng)前ADC模塊基本是MCU的標(biāo)配，而且在轉(zhuǎn)換速度和精度都有很好的表現(xiàn)

2023-09-26 標(biāo)簽：寄存器 PCB布局直流電壓源 6806 0

關(guān)于比較器PWM波電路的設(shè)計

下面電路我們通過在同向端接DC直流電壓，反向端接電容，通過條件判斷來控制比較器輸出高低電平從而實(shí)現(xiàn)電容充放電，下面紅色箭頭方向和藍(lán)色箭頭方向分別為電容充...

2023-12-05 標(biāo)簽：比較器等效電路電容電壓 6284 2

如何通過門極電阻來調(diào)整IGBT開關(guān)的動態(tài)特性呢？

IGBT的開關(guān)特性是通過對門極電容進(jìn)行充放電來控制的，實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對IGBT進(jìn)行開通，再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。

2023-07-04 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 續(xù)流二極管 5913 0

超級電容能做電池使用嗎？和電池的根本區(qū)別在哪里？

超級電容器也稱為電化學(xué)電容器，是一種能夠存儲和釋放能量的設(shè)備，它們在某些應(yīng)用中可以作為電池的替代品或補(bǔ)充使用。

2024-04-15 標(biāo)簽：電容器超級電容電池 5694 0

電容充放電過程中時間常數(shù)對電路的影響

電容充放電過程中的時間常數(shù)對電路有著重要影響。時間常數(shù)是指電容在充放電過程中所需要的時間，它取決于電容器本身的特性和外部電路的參數(shù)。在本文中，將詳細(xì)探討...

2023-12-20 標(biāo)簽：電容器電路電流 5375 0

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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電容充放電

電容充放電技術(shù)

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