標簽 > 相變存儲器
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相變存儲器,簡稱PCM,相變存儲器就是利用特殊材料在晶態和非晶態之間相互轉化時所表現出來的導電性差異來存儲數據的。相變存儲器通常是利用硫族化合物在晶態和非晶態巨大的導電性差異來存儲數據的一種信息存儲裝置。
700-1000 MHz 高增益 700–1000 MHz 高線性度、單通 200-5000 MHz 單下變頻混頻器 2300-2700 MHz 高增益 用于 2G/3G 收發器的 1700-2 1500-2700 MHz 正交調制器 500-1500 MHz 正交調制器 390 – 500 MHz 高增益和線性 650 – 900 MHz 高增益和線性 700 – 1000 MHz 高增益和線 具有省電模式的 1700 – 2200 集成整數 N 分頻 PLL 和 VCO
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