砷化鎵

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砷化鎵（gallium arsenide）是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaAs，為黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。

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砷化鎵技術(shù)

ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，23 GHz至31 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8142是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為23 GHz...

2025-04-22 標(biāo)簽：低噪聲放大器 GaAs 砷化鎵 255 0

ADL8121 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，0.025 GHz至12 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8121是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為0.025 ...

2025-04-22 標(biāo)簽：低噪聲放大器 GaAs 砷化鎵 279 0

ADL8142S GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，23 GHz 至 31 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8142S-CSL 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片式微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器，工作頻...

2025-04-22 標(biāo)簽：低噪聲放大器 GaAs 砷化鎵 241 0

ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，5 GHz至20 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8105是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為5 GHz至...

2025-04-22 標(biāo)簽：寬帶放大器 GaAs 砷化鎵 255 0

ADL8106 GaAs pHEMT低噪聲放大器，20 GHz 至 54 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8106 是一款砷化鎵 (GaAs) 假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 微波單片集成電路 (MMIC) 寬帶低噪聲放大器，工作頻率為 20 ...

2025-04-22 標(biāo)簽：低噪聲放大器 GaAs 砷化鎵 272 0

ADPA7009-2 20 GHz 至 54 GHz GaAs pHEMT MMIC 29 dBm (0.5 W) 功率放大器技術(shù)手冊(cè)

ADPA7009-2是一款砷化鎵 (GaAs) 假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 微波單片集成電路 (2) MMIC dBm 飽和輸出功率0.5 ...

2025-04-22 標(biāo)簽：功率放大器 GaAs 砷化鎵 269 0

ADL8142-2 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，23 GHz至31 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8142-2CHIP是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為...

2025-04-22 標(biāo)簽：GaAs 砷化鎵 MMIC 239 0

ADH8411S 0.01 GHz 至 10 GHz 低噪聲放大器技術(shù)手冊(cè)

ADH8411S-CSH 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器，工作范圍...

2025-04-22 標(biāo)簽：GaAs 砷化鎵 MMIC 233 0

ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，0.01 GHz至20 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8100是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、寬帶低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為...

2025-04-22 標(biāo)簽：寬帶低噪聲放大器砷化鎵 293 0

ADL8102 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，1 GHz至22 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8102是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為1 GHz...

2025-04-22 標(biāo)簽：寬帶放大器 GaAs 砷化鎵 251 0

砷化鎵帖子

砷化鎵二極管在高性能功率轉(zhuǎn)換中的作用是什么？

標(biāo)簽：二極管功率轉(zhuǎn)換砷化鎵 10295 0

如何使用砷化鎵二極管降低高功率LLC轉(zhuǎn)換器的成本？

標(biāo)簽：二極管 LLC 砷化鎵 9325 0

請(qǐng)問(wèn)砷化鎵芯片化學(xué)腐蝕開封的配酸比例和溫度多少比較合適呀？

標(biāo)簽：砷化鎵 8148 1

射頻從業(yè)者必看，全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭解讀

標(biāo)簽：砷化鎵 0 0

臨時(shí)鍵合有人做過(guò)這個(gè)嗎？

標(biāo)簽：砷化鎵 84239 5

砷化鎵資料下載

AS169-73 PHEMT砷化鎵集成電路單刀雙擲開關(guān)規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2023-08-03 標(biāo)簽：砷化鎵 PHEMT 單刀雙擲開關(guān) 320 0

HMC998APM5E分布式功率放大器規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2023-07-25 標(biāo)簽：功率放大器砷化鎵 385 0

HMC-AUH256砷化鎵放大器規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2023-07-25 標(biāo)簽：放大器砷化鎵 225 0

HMMC-1015 DC–50GHz可變衰減器產(chǎn)品簡(jiǎn)介立即下載

類別：電子資料 2023-07-27 標(biāo)簽：衰減器砷化鎵 359 0

HG166A砷化鎵線性霍爾元件在音圈變焦鏡頭中的應(yīng)用立即下載

類別：電子資料 2023-02-27 標(biāo)簽：砷化鎵馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器音圈 446 0

載流子輸運(yùn)現(xiàn)象之散射率、遷移率、電阻率、砷化鎵立即下載

類別：電子資料 2023-02-27 標(biāo)簽：砷化鎵電導(dǎo)率載流 694 0

砷化鎵集成單刀雙擲開關(guān)AS179-92LF英文手冊(cè)立即下載

類別：IC datasheet pdf 2022-04-12 標(biāo)簽：砷化鎵單刀雙擲開關(guān) 670 0

砷化鎵電池及砷化鎵LED綜述立即下載

類別：課件下載 2021-08-09 標(biāo)簽：LED 砷化鎵電池 1605 0

ADPA7009CHIP英文手冊(cè)立即下載

類別：IC datasheet pdf 2021-04-12 標(biāo)簽：集成電路晶體管砷化鎵 613 0

半導(dǎo)體制造技術(shù)之半導(dǎo)體的材料特性立即下載

類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2018-11-08 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體砷化鎵 3202 0

砷化鎵資訊

上海光機(jī)所在強(qiáng)場(chǎng)太赫茲對(duì)砷化鎵偶次諧波調(diào)控研究方面取得新進(jìn)展

圖1. 強(qiáng)場(chǎng)太赫茲波的產(chǎn)生及物質(zhì)調(diào)控信號(hào)測(cè)量裝置 (a)實(shí)驗(yàn)光路;(b)泵浦光光譜;(c)太赫茲頻譜。近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所強(qiáng)場(chǎng)激光物...

2025-05-20 標(biāo)簽：諧波砷化鎵太赫茲 129 0

河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項(xiàng)目

5月9日，河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項(xiàng)目的簽約儀式。在儀式上，化合物半導(dǎo)體材料團(tuán)隊(duì)執(zhí)行總監(jiān)李有群對(duì)該項(xiàng)目做了詳細(xì)介紹。

2024-05-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體砷化鎵碳化硅 1655 0

三安集成于EDICON24展示新一代砷化鎵射頻器件制造工藝

北京2024年4月10日 /美通社/ -- EDICON CHINA 2024 （電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)）于4月9日-10日在北京會(huì)議中心正式舉行，暌違三年有...

2024-04-10 標(biāo)簽：無(wú)線通信砷化鎵射頻器件 685 0

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)首次觀測(cè)到引力子激發(fā)現(xiàn)象

該科研成果已于北京時(shí)間2024年3月28日以“證據(jù)表明分?jǐn)?shù)量子霍爾液體中有手性黑格斯模”為題在國(guó)際頂尖學(xué)術(shù)期刊Nature上公開發(fā)表。全球的引力子研究一...

2024-03-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)砷化鎵 848 0

碳化硅SiC襯底生產(chǎn)工藝流程與革新方法

HTCVD法能通過(guò)控制源輸入氣體比例可以到達(dá)較為精準(zhǔn)的 Si/C比，進(jìn)而獲得高質(zhì)量、高純凈度的碳化硅晶體，但由于氣體作為原材料晶體生長(zhǎng)的成本很高，該法主...

2024-02-29 標(biāo)簽：光電器件 SiC 砷化鎵 2871 0

菏澤市牡丹區(qū)砷化鎵半導(dǎo)體晶片項(xiàng)目奠基儀式隆重舉行

首期項(xiàng)目斥資15億人民幣，致力開發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預(yù)計(jì)在2025年7月開始試運(yùn)行，此階段主要專注于砷化鎵半導(dǎo)體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)...

2024-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片砷化鎵 2216 0

Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選？

氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電和其他應(yīng)用。

2023-12-15 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 砷化鎵 1024 0

Gel-Pak真空釋放盒砷化鎵芯片儲(chǔ)存解決方案

上海伯東美國(guó) Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運(yùn)輸以及儲(chǔ)存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.

2023-12-14 標(biāo)簽：功率放大器光通信砷化鎵 1256 0

砷化鎵器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用

GaAs器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，器件分類齊全，包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數(shù)字單芯片集成電路等。

2023-11-08 標(biāo)簽：集成電路功率器件砷化鎵 1007 0

鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域？

中國(guó)對(duì)鎵、鍺實(shí)施出口管制，短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮，遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶，推動(dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，國(guó)外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。

2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 2473 0

砷化鎵數(shù)據(jù)手冊(cè)

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加速度傳感器

加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過(guò)一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
TOF

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角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂(lè)高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過(guò)1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
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DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過(guò)光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
重力傳感器

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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來(lái)驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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半導(dǎo)體工藝

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MPSoC

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直流無(wú)刷電機(jī)

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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說(shuō)話人識(shí)別，包括說(shuō)話人辨認(rèn)和說(shuō)話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
零序

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直流電壓

直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來(lái)直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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緩沖電路

緩沖電路

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LPC2368

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Buck-Boost

Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
識(shí)別技術(shù)

識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
電磁繼電器

電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
制冷片

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VCM

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