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標(biāo)簽 > 硅二極管
硅二極管死區(qū)電壓約0.5伏,鍺的0.1伏,正向壓降硅0.6~0.7伏,鍺0.2~0.3伏,硅反向電流小,耐壓高,鍺相反。
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在電子工程領(lǐng)域,二極管是一種基本的半導(dǎo)體器件,它允許電流單向流動(dòng)。硅二極管和鍺二極管是兩種主要的材料類型,它們?cè)谛阅芎蛻?yīng)用上有所不同。 材料特性 硅(S...
2024-11-18 標(biāo)簽:硅二極管半導(dǎo)體器件低頻信號(hào) 2291 0
二極管反向截止的條件是什么?? 二極管反向截止是指在一定的電壓條件下,二極管內(nèi)部的電流無法流動(dòng),電流被完全阻斷的狀態(tài)。這種狀態(tài)是二極管的一種基本性質(zhì),也...
為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓大?
為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓大?? 硅二極管和鍺二極管是電子學(xué)中非常常見的兩種二極管。二極管的死區(qū)電壓是指當(dāng)二極管處于反向偏置狀態(tài)時(shí),為...
1948年6月26日,貝爾實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)了肖克利發(fā)明的雙極型晶體管的專利,這是他一次在會(huì)議上感到無聊時(shí)偶然迸發(fā)的非凡設(shè)想。1949年4月7日,貝爾實(shí)驗(yàn)室的G...
超高效率600V H系列整流器擴(kuò)展硅二極管性能 為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn), Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed...
Qspeed硅二極管能協(xié)助克服高成本、低性能的電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
Qspeed硅二極管能協(xié)助克服高成本、低性能的電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) 基于項(xiàng)目的各種限制約束,設(shè)計(jì)人員在元器件選型過程通常會(huì)作出這樣或那樣的折衷。譬如,在設(shè)計(jì)一個(gè)電源
2009-11-16 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)硅二極管 736 0
硅和鍺兩種二極管的特性曲線差異 1) 硅二極管反向電流比鍺二極管反向電流小的多,鍺管為mA級(jí),硅管為nA級(jí)。這是因?yàn)樵谙嗤瑴囟认骆N的ni比硅的ni要
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