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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅SBD反向恢復(fù)特性

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2023-02-03 標簽：SBD SiC 碳化硅 1175 0

碳化硅MOSFET可以取代硅IGBT嗎？

雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處，但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說，在更高電壓下的...

2023-03-16 標簽：電動汽車逆變器 IGBT 1173 0

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的...

2024-09-11 標簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1173 0

碳化硅二極管的特點

碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時間、溫度針對電源開關(guān)個人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化...

2023-02-09 標簽：二極管散熱器碳化硅 1171 0

淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)

在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。

2024-03-04 標簽：晶體 SiC 碳化硅 1167 0

碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面...

2024-09-11 標簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1167 0

SiC的物性和特征

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1165 0

國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-主驅(qū)逆變器

主驅(qū)逆變器是電動汽車動力執(zhí)行單元的關(guān)鍵部件，它從VCU獲取扭矩指令，從高壓電池包獲取電能

2023-11-16 標簽：電動汽車逆變器 MOS 1164 0

晶圓級立方碳化硅單晶生長研究進展

碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...

2024-01-16 標簽：晶圓晶體管 SiC 1163 0

使用行業(yè)標準無底板封裝的碳化硅技術(shù)實現(xiàn)系統(tǒng)升級

本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無碳化硅無基板功率模塊，并展示了這種多功能且可擴展的模塊方法如何實現(xiàn)當(dāng)前硅（Si）設(shè)計的...

2023-05-20 標簽：SiC 碳化硅 1157 0

晶體制備技術(shù)：碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器，通過在熔融純硅中加入助溶劑，提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域，碳溶解于熔融硅中

2024-02-20 標簽：SiC 半導(dǎo)體器件碳化硅 1154 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝А⒏沙掷m(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個重要進展。

2024-04-15 標簽：導(dǎo)通電阻功率器件 SiC 1149 0

晶圓封裝過程缺陷解析

在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓測試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時封裝過程中的缺陷對半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個方面進行介紹。

2024-11-04 標簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 1142 0

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...

2023-12-29 標簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1141 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造電動汽車（EV）、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...

2023-12-05 標簽：MOSFET 半導(dǎo)體功率器件 1140 0

全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況及對我國有何啟示

寬禁帶半導(dǎo)體往往具備高的擊穿場強、高的電子飽和速度和強的抗輻射等特性，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博弈加劇的背景下，近年來持續(xù)受到產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。

2023-07-24 標簽：新能源汽車 MOSFET 變頻器 1139 0

電裝和三菱電機將在碳化硅業(yè)務(wù)上合計投資10億美元

市場估計表明，SiC總潛在市場將從2022年的30億美元增長到2030年的210億美元，復(fù)合年增長率為28%。相干公司宣布，電裝和三菱電機將在其碳化硅...

2023-10-12 標簽：三菱電機功率器件電裝 1137 0

探討蔚來全域900V高壓架構(gòu)的技術(shù)儲備

新一代900V高性能電驅(qū)平臺采用自研面向900V的碳化硅電驅(qū)平臺，雙電機冗余設(shè)計保證了在惡劣天氣和濕滑路面上的穩(wěn)定行駛，后永磁同步電機在體積更小的情況下...

2023-12-26 標簽：永磁同步電機 DC-DC 碳化硅 1121 0

碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘

隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢，封裝技術(shù)起著...

2025-03-05 標簽：芯片 SiC 碳化硅 1120 0

碳化硅VJFET的動態(tài)電路模型設(shè)計

在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導(dǎo)體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導(dǎo)體是市場上最先進的半導(dǎo)體之一。

2023-08-29 標簽：電容器 SCR VHDL語言 1119 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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碳化硅技術(shù)

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