碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。

2023-04-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車新能源汽車逆變器 1117 0

碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡析

碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽：二極管MOSFETSBD 1114 0

聊一聊碳化硅的下一波的制造、供應(yīng)鏈和成本

　毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧：好的。所以今天，我們就來聊聊SiC，下一波SiC在制造、供應(yīng)鏈、成本等方面。

2023-02-09 標(biāo)簽：碳化硅 1110 0

SiC功率元器件特征有哪些

碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨(dú)特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（Si...

2024-02-04 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1109 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出...

2024-01-06 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)功率器件碳化硅 1099 0

氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上？

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì)，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場等特性來看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的...

2023-08-18 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體氮化鎵 1093 0

未來的重點(diǎn)方向：Sic和IGBT

IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點(diǎn)，根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic...

2023-03-24 標(biāo)簽：IGBT晶體管碳化硅 1093 0

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

　　隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件...

2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1091 0

淺析5G系統(tǒng)對(duì)蜂窩無線的功率放大器設(shè)計(jì)

盡管 5G 提升了帶寬，但其更高的頻率更容易造成信號(hào)衰減。由于更高的帶寬會(huì)導(dǎo)致更低的信噪比（SNR），增加帶寬并不會(huì)導(dǎo)致容量的線性增加。解決這一問題的一...

2022-10-17 標(biāo)簽：功率放大器碳化硅5G 1085 0

碳化硅在半導(dǎo)體中有什么好處？

來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTSiC 1084 0

碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用前景

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1082 0

碳化硅MOSFET的使用方法和效率高的原因

　　碳化硅MOSFET器件是一種半導(dǎo)體器件，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFE...

2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體碳化硅 1076 0

為什么選擇SiC作為下一個(gè)雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)，因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對(duì)容易獲得。

2023-03-07 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器充電器 1072 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場前景

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對(duì)碳化硅功...

2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1070 0

為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng)：碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)！

GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1065 0

碳化硅：成功的純電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的基礎(chǔ)

碳化硅更高的開關(guān)頻率和更低的固有損耗提高了系統(tǒng)效率。在雙向板載充電器中，SiC 支持使用圖騰柱 PFC 拓?fù)洌c基于 Si 的器件相比，該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)非常高...

2023-05-24 標(biāo)簽：充電器PFC碳化硅 1065 0

碳化硅襯底的生產(chǎn)過程

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1063 0