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標簽 > 米勒電容
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通常情況下,為了防止出現寄生IGBT通道的情況發生,國內通常有兩種解決辦法。第一個辦法是為配置添加門極和發射極之間的電容,第二是通過使用負門極驅動。如果...
60 V第四代n溝道功率MOSFET:業內適用于標準柵極驅動電路的器件
Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件,10 V...
從t1時刻開始,MOS進入了飽和區。在飽和有轉移特性:Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導,只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后,而此時又處于...
對MOS管在開關狀態下的Miller效應的原因與現象進行分析
MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中,延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性,可謂是臭名昭著,各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
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